در دهه های اخیر نانو چند لایه ای های co/pd به عنوان نسل جدید محیط های ضبط مغناطیسی عمودی اطلاعات، مورد بررسی قرار گرفته و از اهمیت ویژه ای برخوردار شده اند. این اهمیت به این دلیل است که در این چند لایه ای ها هنگامی که ضخامت لایه co کمتر از ? آنگستروم باشد، بردار مغناطش از درون صفحه به بیرون صفحه تغییر جهت می دهد. این ویژگی سبب می شود چگالی اطلاعات ضبط شده به میزان بسیار زیادی بیشتر از وقتی باشد که بردار مغناطش درون صفحه قرار گیرد. گرچه نقش ناهمسانگردی مغناطیسی بین لایه ای در ایجاد این اثر به اثبات رسیده است اما ساز و کار آن هنوز به درستی روشن نیست. بی شک تحول چگونگی ریخت سطوح طی فرایند رشد، تاثیر بسزایی بر روی ویژگی های مغناطیسی این چندلایه ای ها دارد. در سال های اخیر مطالعات فراوانی بر روی ناهمواری سطوح و بین لایه ای این قبیل نمونه ها انجام شده و در این میان پراکندگی پرتو ایکس سینکروترونی به عنوان ابزاری قدرتمند و نا مخرب نقشی اساسی ایفا کرده است. در این پژوهش با هدف بررسی روند رشد لایه ها از پراکندگی پرتو ایکس زاویه بزرگ که به پراش پرتو ایکس معروف است با استفاده از پرتو ایکس آزمایشگاهی به بررسی ساختار بلوری این نمونه ها پرداخته ایم و همچنین در بررسی ریخت سطوح و فصل مشترک های آنها از پراکندگی پرتو ایکس سینکروترونی زاویه کوچک یا اصطلاحا پراکندگی تابش خراشان پرتو ایکس با پرتو ایکس سینکروترونی، استفاده کرده ایم. برای بررسی ویژگی های مغناطیسی نمونه ها از vsm استفاده شده است. همچنین برای بررسی سطح نمونه ها از میکروسکوپ نیروی اتمی بهره برده ایم و در نهایت با استفاده از نظریه فراکتالی و داده های عددی afm، به مقایسه نتایج پرداخته ایم. در بین این نمونه ها فقط یک نمونه به وضوح ناهمسانگردی مغناطیسی عمودی نشان داده که دارای بالاترین مقدار پارامتر فراکتال است. آزمایش های پراکندگی پرتو ایکس نشان داده اند که نمونه ها با نظم بسیا خوبی در جهت (???) رشد یافته اند. تغییرات شدت قله های براگ در بیناب پراش با افزایش تعداد دو لایه ای ها و تغییرات اندازه دانه ای، به دست آمده از پهنا در نیم بیشینه قله براگ در بیناب پراش، بر حسب تعداد دو لایه ای ها ترسیم شده است. مقایسه داده های میکروسکوپ نیروی اتمی و پراکندگی پرتو ایکس نشان می دهد نمونه هایی که احتمالا در آنها بردار مغناطش از درون صفحه به عمود بر آن تغییر جهت می دهند، یا تحت کرنش شبکه قرار دارند و یا در آنها، بین لایه ها به شدت در هم نفوذ کرده اند. این نتیجه می تواند به شناخت بهتر علل و عوامل چرخش بردار مغناطش از درون صفحه به عمود بر آن کمک شایانی نماید.