در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد مطالعه قرار گرفته و کاهش در قابلیت هدایت نوری با افزایش دما نیز بررسی شده است. رفتار دمایی قابلیت هدایت نوری با استفاده از تغییرات چگالی بارها در حالت های جایگزیده طی پنج مرحله به طور کیفی مورد تحلیل قرار گرفته است. تغییرات چگالی الکترون ها در نوار رسانش و حفره ها در نوار ظرفیت بر حسب عکس دما بررسی و نمودار آن ها رسم شده است.