افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم به علت فراوانی و دارا بودن ثابت دی الکتریک بالا می تواند جایگزین مناسبی برای باشد. در این پایان نامه نانوذرات دی اکسید تیتانیوم که با روش سل – ژل سنتز شده است، ساختار و رفتار آن در دماهای بازپخت مختلف با روش های sem و xrd بررسی می شود.