نام پژوهشگر: سهرابی محمد هادی
سهرابی محمد هادی ابراهیم اصل سلیمانی
هدف اصلی در این پروژه ساخت افزاره دیود اثر میدانی در آزمایشگاه نانو الکترونیک دانشگاه تهران بوده است. به همین منظور با استفاده از دستگاه های لازم، از جمله کوره های آلایش بور و فسفر، کوره رشد اکسید ، ابزار مربوط به لایه نشانی پلی سیلیسیم و اتصالات و دستگاه اندازه گیری مشخصه ها، به ساخت و مطلوب سازی عملکرد افزاره پرداختیم. سعی بر این بوده است که نمونه های ساخته شده با متغیر های متفاوت در هر افزاره در یک فرآیند ساخت قرار گیرند تا قابل مقایسه باشند. این متغیر ها عبارتند از: ضخامت و کیفیت لایه های مختلف اکسید و پلی سیلیسیم، زمان و میزان آلایش نواحی سورس و درین، فواصل گیت ها و مشخصه های دیود در ولتاژ های مختلف. در نهایت با ساخت موفقیت آمیز دیود اثر میدانی در ابعاد میکرونی برای اولین بار و تکرار پذیری نتایج مورد انتظار که در شبیه سازی ها توسط نرم افزار silvaco-tcad به دست آمده بود، این افزاره به دنیای الکترونیک معرفی شد.