نوسان ساز از بخش های مهم مدار های rf بوده که در فرستنده-گیرنده، هم در مسیر ارسال و هم دریافت سیگنال کاربرد زیادی دارد. اگر بتوان فرکانس خروجی نوسان ساز را با ولتاژ تغییر داد به آن نوسان ساز، کنترل شونده با ولتاژ (vco) می گویند. از جمله پارامتر های مهم هر نوسان سازی نویز فاز و توان تلفاتی است. نویز فاز در یک نوسان ساز می تواند روی دقت مدولاسیون تأثیر منفی گذاشته و باعث رشد طیفی و در نتیجه تجاوز طیف توان خروجی از ماسک طیفی تعیین شده توسط استاندارد مورد استفاده در سیستم فرستنده-گیرنده گردد. از طرف دیگر، توان مصرفی در مدارها باید حداقل باشد تا موجب افزایش عمر باتری شود. نوسان سازها نیز مانند سایر مدارهای آنالوگ دارای تضاد بین توان تلفاتی و نویز هستند و بنابراین باید مصالحه ای بین میزان مصرف توان و نویز فاز ایجاد شود. در این پایان نامه یک نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ با ساختار کوپلاژ تقاطعی با هدف دستیابی به نویز فاز پایین و مصرف توان کم با منبع تغذیه ی 5/1 ولت، برای کاربرد های باند ism ارائه شده است. در طراحی نوسان ساز، روش افزایش هدایت منفی تانک lc استفاده شده که باعث بهبود در نویز فاز شده است. همچنین استفاده از تکنیک مقاومت کاذب، توان مصرفی در مدار را کاهش داده است. برای جلوگیری از اثر بارگذاری مدارهای خروجی روی نوسان ساز، مدار بافر مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی tsmc cmos 0.18?m ، نشان می دهد که نوسان ساز در فرکانس مرکزی 55/2 گیگا هرتز و در آفست 100 کیلو هرتز، دارای نویز فاز 6/103- و در آفست 1مگاهرتز، دارای نویز فاز 5/125- است. محدوده ی فرکانسی قابل تنظیم از 28/2 تا 59/2 گیگا هرتز بوده که با ولتاژ متغیر از 0 تا 5/1 ولت بدست آمده است. توان مصرفی در هسته ی نوسان ساز نیز برابر 9/1 میلی وات است که از منبع 5/1 ولتی تامین می گردد.

تقویت کننده توان فرکانس رادیویی به عنوان یکی از مهم ترین بلوک های سازنده فرستنده-گیرنده فرکانس رادیویی شناخته می شود و در این سیستم به عنوان بزرگترین مصرف کننده توان به حساب می آید. بنابراین تحقیقات نسبتاً جامعی به منظور دست یابی به یک تقویت کننده توان با راندمان بالا صورت پذیرفته تا طول عمر باتری را بهبود بخشد. بدین منظور تقویت کننده توان کلاس e انتخابی مناسب است. این پایان نامه به جزئیات روند طراحی یک تقویت کننده توان کلاس e با کنترل توان خروجی، مناسب برای کاربرد های باند ism می پردازد. طراحی تقویت کننده مطلوب به منظور مجتمع سازی با سایر بلوک های اساسی یک فرستنده-گیرنده فرکانس رادیویی توسط تکنولوژی cmos انجام شده است. ساختار کاسکود برای غلبه بر مشکل ولتاژ شکست پایین ترانزیستور های زیرمیکرونی cmos استفاده شد و با به کارگیری تقویت کننده کلاس e به عنوان طبقه راه انداز قابلیت مجتمع سازی مدار افزایش یافت. در نهایت یک تقویت کننده توان کلاس e تک انتهایی و دو طبقه با ساختاری مناسب برای کنترل توان خروجی در فرآیند cmos 0.18?m طراحی شد. نهایتاً به علت وجود وفور ملاحظات در طول طراحی کمیت ها، برای دستیابی به طرح مطلوب، مدار طراحی شده با ads در فرآیند tsmc cmos 0.18?m بهینه و شبیه سازی شد. شبیه سازی نشان داد که این تقویت کننده توان قادر است 21.1dbm توان را به بار استاندارد 50 اهم در ولتاژ تغذیه 1.8 ولت با راندمان توان اضافه شده 57.5 % تحویل دهد.

در این پایان نامه یک تقسیم کننده فرکانسی قفل شونده با تزریق با مصرف توان پایین و قابلیت کار در ولتاژ تغذیه کم ارائه شده است که در فرایند cmos با تکنولوژی ?m 0.18 tsmc و با استفاده از نرم افزار ads شبیه سازی شده است. تقسیم کننده فرکانسی شامل دو بخش اصلی نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ و منبع تزریق سیگنال خارجی است. اندازه-گیری ها نشان می دهد که مدار در ولتاژ تغذیه v 1.3 توان mw 3.9 را مصرف می کند و نویز فاز آن در فرکانس آفست mhz 1 برابر با dbc/hz 123.3- می باشد. محدوده قفل تقسیم کننده ghz 5.48 از ghz 12.66 تا ghz 18.14 است. تقسیم کننده فرکانسی طراحی شده از یک نوسان ساز زوج متقاطع با تانک lc که دارای دو سلف مارپیچی مربعی است تشکیل شده است. منبع ولتاژ سینوسی از طریق گیت ترانزیستورهای منبع جریان به نوسان ساز تزریق شده است. برای کاهش نویز فاز از فیلتر نویز lc در گره مشترک بین ترانزیستورهای زوج متقاطع و منبع جریان ورودی استفاده شده است. مدار طراحی شده به دلیل مصرف توان کم، ولتاژ تغذیه پایین و محدوده قفل گسترده برای کاربرد در سنتز کننده های فرکانسی فرکانس های بالا مناسب می باشد.

در این پایان نامه، جزئیات طراحی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن ، در فناوری mcmosµ 18/0 مورد بررسی قرار می گیرد. در مدار ارائه شده ، با استفاده از ساختار گیت مشترک تطبیق امپدانس در پهنای باندghz6/10 -9/3 انجام شده است. با به کارگیری روش استفاده مجدد از جریان تقویت کننده بهره توان بالایی در حدود db18 و عدد نویز در حدود db7/3-4/2 ضریب انعکاس ورودی و خروجی(s11وs22 )به ترتیب کمتر از 10- و 5- به دست آمد وبا منبع ولتاژ8/1 ولت توان mw 2/11 مصرف شد. با بکارگیری تکنیک استفاده مجدد از جریان به توان مصرفی پایین وبهره توان بالایی دست پیدا نمودیم.

مخلوط کننده با ضرب دو سیگنال کار انتقال فرکانس را انجام می دهد.

سیستم های rfid نسل جدیدی از سیستم های شناسایی اتوماتیک مبتنی بر تکنولوژی مخابرات بی سیم هستند. تگ ها از اجزای مهم این سیستم ها محسوب می شوند، هر تگ شماره شناسه منحصر بفردی را دارد و در هنگام قرارگیری در محدوده تحت پوشش دستگاه خواننده، اقدام به ارسال شماره شناسه خود خواهد کرد. اگر چندین تگ همزمان اقدام به ارسال شماره شناسه خود کنند، سیگنال ارسالی آن ها با هم برخورد کرده و دستگاه خواننده قادر به تشخیص شماره شناسه نخواهد بود. نحوه بر طـرف کردن این برخـورد از زیـر شاخه های تامین امنیت در تبادل اطلاعات در سیستم های rfid محسوب می شود. در این پایان نامه نگاه جامعی به روش های مقابله با برخورد تگ ها شده و دو روش پیشنهادی برای بهبود راندمان و سرعت شناسایی روش های موجود ارائه شده است. روش اول پیشنهادی مبتنی بر الگوریتم aloha می باشد که با در نظرگیری متفاوت بودن بازه زمانی اسلات های مختلف در پروتکل dfsa منجر به تعریف جدیدی از راندمان در این پروتکل شده و رابطه جدیدی برای تنظـیم تعداد اسـلات ارائه می دهد. در روش دوم پیشنهادی الگوریتمی به نام ebcda مبتنی بر الگوریتم درختی ارائه می شود. در این الگوریتم دستگاه خواننده قادر خواهد بود با تشخیص بیت برخورد کرده و ذخیره اطلاعات تشخیص داده شده در اسلات های شکست خورده، حجم اطلاعات تبادل شده بین تگ و دستگاه خواننده را به شدت کاهش دهد. کاهش اطلاعات تبادل شده موجب افزایش سرعت شناسایی تگ ها خواهد شد. با مقایسه دو روش پیشنهادی به این نتیجه خواهیم رسید که تگ های مورد استفاده در الگوریتم ebcda نسبت به تگ های مورد استفاده در روش اول پیشنهادی دارای ساختار پیچیده ای می باشند؛ که این امر موجب افزایش هزینه تمام شده تگ های مورد استفاده در الگوریتم ebcda می شود.

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی چهار مخلوط کننده ی ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای مختلف مطرح شده است. ابتدا یک مخلوط کننده ی به هم تابیده ی توان پایین و ولتاژ پایین برای کاربردهای باندپهن که بازه ی فرکانسی 0.5-7.5 ghz را شامل می شود طراحی شده است. این مخلوط کننده ی مبدل کاهشی کاملاً تفاضلی با استفاده از تکنولوژی cmos µm 0.18 طراحی شده است و ساختار به هم تابیده برای بهبود بهره ی مخلوط کننده اتخاذ شده است. اگرچه این مخلوط کننده برای کار در فرکانس ghz 5.8 باند ism طراحی شده است، اما در بازه ی فرکانسی 0.5-7.5 ghz، بیشترین بهره ی تبدیل db 12، بیشترین iip3 ،dbm -2.5 ، بیشترین نقطه ی فشردگی db 1 ورودی(ip1db) ، dbm -13 ، کمترین dsb nf ، db 9.2 را در ولتاژ منبع تغذیه ی v 1.8 و با مصرف توان dc ، mw 2.52 نشان می دهد. علاوه بر این ایزولاسیون های پورت به پورت مدار بهتر از db 140 می باشند. مخلوط کننده ی دیگری که در این پایان نامه طراحی شده است یک مخلوط کننده ی v-1 ، mw 1.3- برای گیرنده های فرا باندپهن mb-ofdm می باشد. این مخلوط کننده برای کاربردهای فرا باندپهن ghz 0.5-11 طراحی شده است. به منظور کاهش ولتاژ منبع تغذیه و توان مصرفی، طبقات rf و lo با یکدیگر ادغام شده اند به گونه ای که سیگنال های rf و lo به ترتیب به سورس و گیت ترانزیستورها اعمال شده اند. این مخلوط کننده بیشترین بهره ی تبدیل db 7.8 را در فرکانس rf ، ghz 5.8 نشان می دهد. dsb nf در این فرکانس db 16.4 ، ip1db ، dbm -10 و iip3 ، dbm 4 می باشند. با توجه به باند فرکانسی این مدار، پهنای باند rf ، ghz 10.5 می باشد. پس از آن طراحی و شبیه سازی یک مخلوط کننده ی بسیار توان پایین، ولتاژ پایین با استفاده از عملکرد ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه ی زیر آستانه تشریح شده است. از عملکرد ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه ی زیر آستانه برای کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش توان مصرفی استفاده شده است. این مخلوط کننده برای کاربردهای ghz 2.4 باند ism طراحی شده است. در این فرکانس بهره ی تبدیل مخلوط کننده db 7.93 ، dsb nf ، db 13.68 و iip3 dbm -4 است. ولتاژ منبع تغذیه ی این مخلوط کننده v 0.7 و مصرف توان dc آن فقط µw 217 است. در این مدار از ساختار کسکود برای بهبود ایزولاسیون های پورت به پورت استفاده شده است و مقدار ایزولاسیون ها بیشتر از db 140 است. و در نهایت یک مخلوط کننده ی فوق العاده توان پایین و ولتاژ پایین با عملکرد مطلوب با بهره گیری از عملکرد زیر آستانه ی ترانزیستورهای ماسفت برای کار در فرکانس های rf ، ghz 2.4 و ghz 5.8 باند ism طراحی شده است. برای کاهش ولتاژ منبع تغذیه، طبقات rf و lo در این مخلوط کننده با یکدیگر ادغام شده اند و از ترانزیستورهای pmos برای تشکیل این طبقات استفاده شده است. نتایج شبیه سازی این مخلوط کننده، بهره ی تبدیل db 10.2 / 12.4 ،dsb nf،19.6 db / 11.3 و iip3 ، dbm -5/ -1 را در فرکانس های rf ، ghz 5.8 / 2.4 نشان می دهد. توان dc مصرفی این مدار فقط µw 7.25 و ولتاژ منبع تغذیه ی آن بسیار پایین و برابر با v 0.5 است. هدف از طراحی این مدارها رسیدن به عملکردی توان پایین و ولتاژ پایین در مدار مخلوط کننده برای کاربردهای مختلف می باشد و فرکانس if در تمام مدارها ثابت و برابر با mhz 100 در نظر گرفته شده است.

تروژان های نرم افزاری یکی از تهدیدات امنیتی می باشند که سال های سال سیستم های کامپیوتری را مورد هدف قرار داده اند. در سال های اخیر تروژان های سخت افزاری نیز به عنوان تهدیدی جدید برای سیستم ها وارد معرکه شده اند. یک مدار مخرب یا تروژان سخت افزاری مداری است که در اثنای ساخت تراشه به همراه مدار اصلی، روی تراشه قرار می گیرد و به اشکال مختلف اثرات منفی و مخرب نشان می دهد. در سطح ملّی (خصوصا بعد نظامی و امنیتی) برای کشورهایی نظیر ایران که از تکنولوژی قطعات نیمه هادی و ادوات الکترونیکی قوی برخوردار نیستند، قدم اول در مقابله با تهدید تروژان های سخت افزاری تشخیص آنهاست. ابتدا مروری بر انواع تروژان های سخت افزاری لازم می باشد و نیز عملکرد تخریبی آنها در مدار باید بررسی شود. سپس انواع روش های آشکارسازی اهمیت می یابند. به دلیل نیاز به ابزار پیشرفته در کشوری مانند ایران، به کارگیری روش-های کانال جانبی برای آشکارسازی تروژان ها دشوار می باشد. به همین دلیل بیان و توضیح الگوریتم های atpg و مفاهیم تست خطا اهمیت می یابند. اصلاح این روش ها برای آشکارسازی تروژان مهم می باشند. در این پایان نامه روند ساختن یک نرم افزار شبیه ساز خطا یا تولید تست نشان داده شده است و اشاره ای به برخی نرم افزارها در این زمینه دارد. atpg به عنوان یک روش لازم (هر چند ناکافی) برای تشخیص تروژان های سخت افزاری مطرح می شود و پروسه ی sr برای آشکارسازی تروژان پیشنهاد می شود.

آشکارسازی، تخمین و دنبال کردن اهداف متحرک زمینی با استفاده از رادار دهانه ترکیبی دارای کاربرد وسیع در مراقبت و نمایش ترافیک می باشند. متأسفانه به خاطر مسأله ی اثر اختلاط فرکانسی طیف داپلر نمونه برداری شده با فرکانس تکرار پالس محدود، اندازه فرکانس داپلر مرکزی هدف متحرک سریع، ممکن است دچار ابهام شود. در پردازش داده خام شامل هدف متحرک، با استفاده از الگوریتم range-doppler، پس از تصحیح جابجایی سلول برد در حوزه برد- داپلر، پوش دو بعدی این هدف انحرافی را نسبت به محور سمت نشان می دهد که شیب آن متناسب با عدد ابهام داپلر هدف می باشد. در این پایان نامه با استفاده از این خاصیت تزویج، از روش تصحیح انتقال خطی، عدد ابهام داپلر را بدست می آوریم.

امروزه پیشرفت های صورت گرفته، شبکه های مخابراتی را قادر ساخته تا داده ها را با سرعت بیشتری انتقال دهند. به همین منظور تکنولوژی wimax با قابلیت انتقال داده mbps 70 و ناحیه تحت پوشش 30 تا 50 کیلومتر، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده، یکی از مهمترین اجزای گیرنده های rf محسوب می شود. برای تبدیل فرکانس rf به فرکانس میانی یا if از مخلوط کننده های مبدل کاهشی استفاده می شود. استاندارد ieee 802.16 برای عدد نویز مخلوط کننده ها محدودیت های سخت گیرانه تری را نسبت به استاندارد ieee 802.11 در نظرگرفته است. پس مخلوط کننده های مناسب برای سیستم های wimax باید علاوه بر داشتن بهره تبدیل بالا از عدد نویز پایینی نیز برخوردار باشند. به همین خاطر طراحی مخلوط کننده با عدد نویز پایین و بهره تبدیل بالا برای سیستم های wimax اهمیت بیشتری دارد. در این پایان نامه مخلوط کننده مبدل کاهشی معرفی شده است که در سیستم های wimax ثابت قابل استفاده است. فرکانس سیگنالrf ورودی ghz 5/3 و فرکانس سیگنال if خروجی mhz 20 در نظر گرفته شده است. طراحی این مخلوط کننده بر اساس تکنولوژیtsmc 0.18µm rf cmos و ولتاژ تغذیه v 5/1 صورت گرفته است. مخلوط کننده معرفی شده برپایه ساختار معمول گیلبرت پیاده سازی شده و به منظور بهبود عدد نویز و بهره تبدیل تکنیک های"تزریق جریان" و "باز استفاده از جریان" مورد استفاده قرار گرفته و بدین وسیله ساختار مداری جدیدی ارایه شده است. بهره تبدیل به دست آمده توسط این مخلوط کننده db 39/15 است. اعداد نویز dsb و ssb به ترتیب مقادیر db82/2 و db 94/5 را به خود اختصاص دادند. p1db حاصل شده dbm 21- و iip3 آن dbm15/12- است. این نتایج در حالی به دست آمده است که توان مصرفی این مخلوط کننده تنها mw 9/9 است.

امروزه تقاضا برای سیستم های بی سیم سرعت بالا، سیر صعودی یافته است. عبارت هایی نظیر توان پایین و سطح مجتمع سازی بالا (ics)، موارد کلیدی در توسعه ی سیستم های ارتباطی بی سیم هستند. از این رو در چند سال اخیر، کارهایی در زمینه ی مصرف جریان کم و مجتمع سازی بالا صورت گرفته است. به منظور رسیدن به سطح مجتمع سازی بالا و مصرف توان پایین، مدارات نوسان ساز و مخلوط کننده را با استفاده از فرآیندهای gaas و bi-cmos و cmos ترکیب می کنند. بنابراین طراحی اسیلاتور- مخلوط کننده برای مدارات ic با مصرف توان پایین بسیار مطلوب است. در این پایان نامه یک مدار اسیلاتور- مخلوط کننده ی جدید با توان مصرفیِ پایین که در فرکانس خروجی ghz 2.5 ثابت شده، ارائه شده است. این اسیلاتور- مخلوط کننده شامل یک مخلوط کننده و یک نوسان ساز جدا از هم است که با رنج ورودی rf، 5.6ghz - 4.6ghz و با ورودی lo قابل تنظیم 2.1ghz - 3.1ghz، کار می کند و به منظور کاهش کل جریان مصرفی، مدار پیشنهادی دارای ساختاری است که تمام جریان dc مخلوط کننده دوباره توسط نوسان ساز مورد استفاده قرار می گیرد. مدار توسط نرمافزار ads شبیه سازی شده و کل توان مصرفی برای اسیلاتور- مخلوط کننده 3 mw است. اسیلاتور- مخلوط کننده با منبع تغذیه ی پایین 1.8v کار می کند. بهره ی تبدیل مدار 12.24 db است p_1db ورودی برابر -11.34 db و کمترین مقدار نویز ssb در فرکانس ورودی 4.6ghz، برابر 9.26db است. همچنین نویز فازی برابر -115.6 db/hz و iip3 برابر -8.74 dbm است.

امروزه پیشرفت های صورت گرفته در شبکه های مخابراتی موجب افزایش سرعت انتقال داده ها شده است، به همین منظور تکنولوژی بدون مجوز uwb با قابلیت انتقال داده mbps500 و پهنای باند ghz5/7 ( ghz10/6 – ghz3/1)، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی یکی از مهمترین اجزای گیرنده های rf محسوب می شود، که برای تبدیل فرکانس rf به فرکانس میانی if استفاده می شود. مخلوط کننده مناسب برای سیستم های uwb باید علاوه بر داشتن بهره تبدیل بالا، از پهنای باند زیادی نیز برخوردار باشد، به همین خاطر طراحی مخلوط کننده با بهره تبدیل و پهنای باند زیاد برای سیستم های uwb اهمیت زیادی دارد. در این پایان نامه یک مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی معرفی شده است که در سیستم های uwb قابل استفاده است. فرکانس سیگنال rf در محدوده ghz3/1 تا ghz10/6 و فرکانس سیگنال if برابر mhz500 در نظر گرفته شده است. برای طراحی مخلوط کننده پیشنهادی از ساختار توزیع شده غیریکنواخت استفاده شده است، به طوری که با ایجاد خطوط انتقال غیریکنواخت، در گیت و درین ترانزیستورهای سلول گیلبرت، خازن های پارازیتی ترانزیستورها، جذب خطوط انتقال شده و هارمونیک های غیرخطی خنثی می شود، که در نتیجه پهنای باند و بهره تبدیل مخلوط کننده پیشنهادی افزایش می یابد. در این کار، مخلوط کننده توزیع شده غیریکنواخت با استفاده از تکنولوژی μm0/18tsmc rf cmos طراحی و شبیه سازی شده است، که پهنای باند مخلوط کننده پیشنهادی برابر ghz 29/2، بهره تبدیل شبیه سازی شده برابر db0/8±9/6، میانگین عدد نویز ssb برابر db12، میانگین iip3 برابر dbm 4- و ایزولاسیون بین پورت ها بیشتر از db150 در کل محدوده فرکانسی uwb حاصل شده است. و مساحت اشغال شده مخلوط کننده پیشنهادی برابر 2mm0/43×0/36 است. این نتایج در حالی به دست آمده اند که توان مصرفی مخلوط کننده پیشنهادی برابر mw15 با استفاده از منبع ولتاژ 1/8 ولت است.

پیشرفت مخابرات سلولی و فراگیر شدن آن سبب شده است که سازندگان گیرنده های رادیویی سعی در مجتمع سازی محصولات خود و کاهش تعداد المان های خارج تراشه نمایند طوری که بتوانند فرستنده - گیرنده را برروی یک تراشه طراحی کنند . امروزه بسیاری از مدارهای بخش جلوی rf با تکنولوژی cmos پیاده سازی می شوند . گسترش تکنولوژی cmosدر مدارهای مخابراتی به دلیل عملکرد بسیار مناسب آنها در فرکانس های بالا ، ارزان بودن و قابلیت مجتمع سازی آنهاست . سیستم های مخابراتی بی سیم به تقویت کننده های توان پربازده با خطینگی بالا نیاز دارند. از آن جهت مطالعه این نوع تقویت کننده های توان حائز اهمیت است می توان با استفاده از تکنیک های طراحی تقویت کننده توان خطی پر بازدهای طراحی نمود که گستره دینامیکی و بازده توان رادر آن اصلاح کرد. واژه های کلیدی: فرا پهن باند، تقویت کننده کم نویز ،تطبیق امپدانس ،عدد نویز ،

مطالب گفته شده در این پایان نامه بر مبنای طراحی، تحلیل و بهینه سازی تقویت کننده کم نویز cmos فراپهن باند است. چالش¬های جدی در پیاده سازی اجزای گیرنده فراپهن باند وجود دارد که یکی از مهم¬ترین آنها طراحی بلوک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند استکه بلوکی کلیدی در بسیاری از گیرنده های رادیویی با کارایی بالاست زیرا عملکرد این قسمت به شدت حساسیت و گزینندگی سیستم را تحت تأثیر قرار می دهد و معمولاً اولین بلوک فعال گیرنده بعد از آنتن است. تقویت کننده کم نویز سیگنالهای ورودی را به گونه ای تقویت می کند که نویز تولید شده به وسیله بلوکهای بعدی کمترین تأثیر را بر روی نسبت سیگنال به نویز (snr) سیستم داشته باشد.بنابراین باید دارای پهنای باند بالا، بهره بالا و هموار، نویز فیگر پایین، تطبیق امپدانس مناسب و مصرف توان پایین باشد. با توجه به گسترش روزافزون سیستم¬های فراپهن باند، بهینه سازی سیستم¬های فوق امری ضروری می¬باشد. در این پایان نامه جزییات طراحی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با فیدبک مقاومتی در فناوری µm cmos0.18 ارائه می¬شود. هدف ما طراحی تقویت کننده کم نویزی است که دارای عملکرد مطلوب بوده و مشخصات مد نظرمان شامل تطبیق امپدانس ورودی خوبdb10-?11s،نویز کمdb5nf?، بهره هموارdb10?21sومصرف توان پایین را تامین نماید.پارامتر¬های بیان شده بهم مربوط بوده و در طراحیtrade off بین آنها وجود دارد. رسیدن به بهره بهینه و منطقی در اولویت طراحی ما قرار دارد. هسته اصلی طراحی،یک تقویت کننده کم نویز سورس مشترک است که به علت تطبیق امپدانس خوب و نویز قابل قبول،یک توپولوژی مطرح در کاربردهای باند باریک است.مدار پیشنهادی تقویت کننده کم نویز ترکیبی از تکنیکهای فیدبک مقاومتیinductive shunt peakingو شبکه تطبیق نردبانیlc است که همزمان دارای مشخصه تطبیق امپدانس ورودی مطلوب در محدوده وسیع فرکانسی و نویز پایین و بهره هموار و بالا در محدوده فرکانسیghz10.6-3.1است.

تقویت کننده های کم نویز یکی از اجزای اساسی در گیرنده های مخابراتی بی سیم هستند، زیرا عملکرد آنها کارآیی سیستم را از نقطه نظر نویز مشخص می نماید. تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی تقویت کننده کم نویز، عددنویز پایین، خطسانی خوب و نیز بهره بالا به همراه مصرف توان پایین از ملاحظات مهم در طراحی تقویت کننده های کم نویز پهن باند هستند.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.