آندایز نرم بر اساس فرایند آندایز دو مرحله ای است که زمان این فرایند 10 ساعت طول می کشد و نانوحفره های خود آرایه فقط در رنج محدودی از ولتاژ به دست می آیند. در این روش نانوحفره های خود آرایه در 25 ولت، 40 ولت و 195 ولت به ترتیب در اسید سولفوریک، اسید اکسالیک و اسید فسفریک به دست می آید. آندایز سخت که به عنوان روش ساخت سریع به کار می رود در رنج وسیعی از اندازه حفره ها و فاصله بین حفره ای کاربرد دارد. در این روش نظم زیاد نانوحفره ها با ایجاد چگالی جریان 800-400 ma/cm2 در مدت زمان یک ساعت به دست می آید. روش دیگر که توسط گروه تحقیقاتی قبلی ما بیان شد روش آندایز نرم شتابدار بود که در آن چگالی جریان یک مقدار میانگین و مدت زمان آندایز 2 ساعت می باشد، جریان بالای آندایز در ولتاژ ثابت از اختلاف دمای دو طرف نمونه ایجاد می شود. ما با استفاده از روش آندایز سخت با کاهش نرخ افزایش ولتاژ سعی کردیم در ولتاژهایی که تا کنون با استفاده از روشهایی شیمیایی به نظم نرسیده بودند به نظم برسیم. همچنین با معرفی یک روش جدید که آن را روش ترکیبی سخت و نرم شتابدار نامیدیم توانستیم مدت زمان آندایز سخت را از یک به نیم ساعت برسانیم و در ولتاژ های مختلف و ولتاژ هایی که نتوانستیم با استفاده از روش سخت به نظم برسیم توسط این روش به نظم خوبی دست یابیم. در این روش با افزایش دمای پشت سعی کردیم نمونه را در جریان ثابت دلخواه آندایز کنیم. آندایز نیم ساعته در اسید اکسالیک 0/3 m در ولتاژ های 110 تا 150 ولت انجام شد و آندایز یک ساعته در محلول ترکیبی اسید اکسالیک 0/3 m و اسید فسفریک xm ( مقادیر x : 05/0، 1/0 و 15/0 مولار) در ولتاژ های 150 تا 185 ولت صورت گرفت. دمای پشت، غلظت بهینه اسید فسفریک و روش آندایز برای ولتاژهای 150، 160، 170، 180 و 185 به ترتیب oc 4- ، 0/05 m و روش سخت؛ oc 7/4 ، 0/05 m و روش ترکیبی؛ oc 4- ، 0/1 m و روش سخت؛ oc 5/12 ، 0/15 m و روش ترکیبی؛ oc 11 و 0/15 m و روش ترکیبی.