ساخت وبررسی خواص فیزیکی نانوساختارها و کنترل پارامترهای تشکیل این رده از مواد که به اتمهای مصنوعی معروفند ما را در ساختن لایه هایی با ساختارهای متفاوت ازنظر اندازه ذرات تشکیل دهنده,نوع ساختار بلورشناسی وآرایش نانوذرات تشکیل دهنده لایه ها, توانا می سازد. نانوذرات به علت بزرگ بودن نسبت سطح به حجم دارای خواص جدیدی هستند که اثر اتمهای سطحی در این ساختارها خود را بیشتر نشان می دهد. با توجه به اثر محدودیت کوانتومی با کوچکتر شدن اندازه نانوذرات ,گاف انرژی این مواد بیشتر می شود و اثر محدودیت کوانتومی روی خواص نوری و الکتریکی پدیده قابل توجهی است .نکته مهم در رسانش الکتریکی این است که حاملهای بار درون این جزایر محبوسند و حالتهای جایگزیده ایجاد می کنند.با استفاده از مدلی که c.godetمعرفی نموده می توان پیشگوئیهای قابل توجهی در مورد مکانیسم رسانش در لایه های نانوساختار نمود

در این پایان نامه، لایه های نازک pbse با استفاده از روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd) تهیه شده و با ضخامت های مختلف بر روی زیر لایه شیشه ای قرار گرفته اند. مطالعات ساختاری نشان می دهد که لایه های تهیه شده دارای ساختار بلوری بوده و بیشتر به سوی صفحه (0 0 2) متمایل هستند. پارامترهای ساختاری مختلف مثل اندازه دانه (d) و ثابت شبکه (a) محاسبه شده اند. همچنین خواص نوری و ساختاری نانو ذرات pbse بر اساس تغییرات زمان، دما، ph، غلظت محلول رسوب گیری و عملیات باز پخت مورد بررسی قرار گرفته است. گاف انرژی و نوع ساختار نمونه ها توسط پراش اشعه x و طیف سنجی فرابنفش-مرئی (uv/vis) مورد بررسی قرار گرفته است.

در این پایان نامه، لایه های نازک cdse با استفاده از روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd) تهیه شده و با ضخامت های مختلف بر روی زیر لایه شیشه ای قرار گرفته اند. مطالعات ساختاری نشان می دهد که لایه های تهیه شده دارای ساختار بلوری بوده و بیشتر به سوی صفحه (1 1 1) متمایل هستند. پارامترهای ساختاری مختلف مثل اندازه دانه (d) و ثابت شبکه (a) محاسبه شده اند. همچنین خواص نوری و ساختاری نانو ذرات cdse بر اساس تغییرات زمان، دما، ph، غلظت محلول رسوب گیری و عملیات باز پخت مورد بررسی قرار گرفته است. گاف نواری انرژی و نوع ساختار نمونه ها توسط پراش اشعه x و طیف سنجی فرابفش- مرئی (uv-vis) مورد بررسی قرار گرفته است.

در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است. در این پایان نامه، لایه های نازک کبالت سلنید با روش رسوب گیری از حمام شیمیایی، (cbd)، تهیه شدند و با ضخامت های مختلف در دماهای متفاوت بر روی زیرلایه شیشه ای قرار گرفته اند. پارامترهای ساختاری مختلف مانند اندازه ی دانه ها (d)، خواص نوری، ساختاری و گاف انرژی نانو ذرات کبالت سلنید بر اساس تغییرات زمان، دما و ph محلول رسوب گیری و عملیات باز پخت، توسط پراش اشعه x و طیف سنجی فرابنفش- مرئی، (uv/vis) مورد بررسی قرار گرفته است. مورفولوژی سطح این لایه ها با میکروسکوپ الکترونی پویشی به دست آمد.

the control of the configuration of the nise nanostructural thin films with temperature

لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد. در مقایسه با کارهای مشابه روش ما ساده و ارزان قیمت است. و به سادگی کنترل می شود. هدف نهایی، تولید لایه هایی با کیفیت بالا است؛ که ضخامت و چینش لایه ها کنترل شود.

در این پایان نامه، لایه های نازک کبالت سلنید با روش رسوب گیری از حمام شیمیایی(cbd) تهیه شدند و با ضخامت های مختلف در ph های مختلف روی زیر لایه های شیشه ای قرار گرفته اند. پارامترهای ساختاری مانند گاف انرژی نانو ذرات کبالت سلنید بر اساس تغییراتph، همچنین پراش اشعه x و طیف سنجی فرابنفش- مرئی(uv/vis) مورد بررسی قرار گرفته است. مورفولوژی سطح این لایه ها بامیکروسکوپ الکترونی پویشی به دست می آید.

چکیده: در این پایان نامه، لایه های نازک pbse با استفاده از روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd) تهیه شده و روی زیر لایه شیشه ای قرار گرفته اند. مطالعات ساختاری نشان می دهد که لایه های تهیه شده دارای ساختار بلوری بوده و بیشتر به سوی صفحه (0 0 2) متمایل هستند. پارامترهای ساختاری مختلف مثل اندازه دانه (d) و ثابت شبکه (a) محاسبه شده اند. همچنین خواص نوری و ساختاری نانو ذرات pbse بر اساس تغییرات زمان رسوب گیری مورد بررسی قرار گرفته است. گاف انرژی و نوع ساختار نمونه ها توسط پراش اشعه x و طیف سنجی فرابنفش-مرئی (uv/vis) و مقدار عناصر در عمق نمونه توسط rbs مورد بررسی قرار گرفته است.

در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است. در این پایان نامه، لایه های نازک سلنید قلع با روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd تهیه شدند و با ضخامت های مختلف در دماهای متفاوت بر روی زیرلایه شیشه ای قرار گرفته اند. پارامترهای ساختاری مختلف مانند اندازه ی دانه ها (d)، خواص نوری، ساختاری و گاف انرژی نانو ذرات سلنید قلع بر اساس تغییرات زمان و دمای محلول رسوب گیری و عملیات باز پخت، توسط پراش پرتو x و طیف سنجی فرابنفش- مرئی (uv/vis) مورد بررسی قرار گرفته است. مورفولوژی سطح این لایه ها با میکروسکوپ الکترونی پویشی به دست آمد. در این کار با کنترل دمای رسوب گیری، مورفولوژی سطح بررسی شد. با افزایش دمای رسوب گیری، اندازه ی ذرات بزرگ تر شده و گاف انرژی نواری کاهش یافت.

روش سنتز ماده بوسیله روش مراقبت های گرمایی و استفاده از pvp به عنوان یک عامل احاطه گر ذرات برای جلوگیری از تجمع آنها و بزرگ شدن اندازه آنها بود. فازهای بلوری نانو ذرات فریت منگنز روی بوسیله دستگاه xrd تائید گردید. همچنین اندازه ذرات در ابعاد 22 تا 31 نانو متر توسط temمشخص شد. مدهای ارتعاشی فلزات (آهن، روی، منگنز) بوسیله دستگاه ftir تائید شد و عدم وجود مواد آلی در دمای 550 درجه سانتی گراد ثابت گردید. خواص مغناطیسی مواد با استفاده از دستگاه vsm بررسی شد که نتیجه آن تائید فوق پارامغناطیسی بودن نانو فریت های تولید شده بوسیله ی روش عملیات گرمایی بوده است. حضور الکترون منفرد در آخرین لایه شبکه اسپینلی نانو ذرات تولید شده بوسیله ی دستگاه epr تائید گردید و سه فاکتور اساسی آن یعنی g، ?hpp، hr از روی نمودارهای epr مشخص شد.