چکیده در این پروژه به ارئه یک روش فیزیکی برای ساخت نانو ذرات سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان می پردازیم. این روش که روش glad نامیده می شود اولین بار در سال 1996 توسط یک گروه تحقیقاتی کانادایی در دانشگاه آلبرتا ارائه گردید. همچنین برای لایه نشانی دستگاه خود را در حالت گرمادهی به روش پرتو الکترونی آماده کردیم. لایه نشانی را در دو زاویه° 75و ° 85 انجام دادیم. منحنی افت زمانی در دو ولتاژ یک و دو ولت وخاصیت فوتوکانداکتیویتی را در ولتاژ یک ولت اندازه گرفتیم. تغییر مقاومت نمونه ها را نیز با اعمال نوردهی مطالعه کردیم . همچنین عکس های sem که از بالا و مقطع عرضی گرفته شد تشکیل ساختارهای نانویی را در نمونه های ساخته شده تایید میکند. کلمات کلیدی glad,silicon,photoconductivity,time decay,deposition