بازترکیبی بین الکترون ـ حفره های تولید شده توسط نور، عامل اصلی در کاهش بازده فرآیندهای فتوکاتالیستی است. در سال های اخیر تلاش های زیادی در جهت کاهش بازترکیبی بین الکترون و حفره انجام شده است. اعمال میدن الکتریکی به آندی که ذرات فتوکاتالیست روی آن تثبیت شده، می تواند به طور موثری بازترکیبی بین الکترون و حفره را کاهش داده و راندمان فرآیند فتوکاتالیستی را افزایش دهد. برای بررسی اثر میدان الکتریکی بر روی حذف فتوکاتالیستی، ماده نیمه رسانای اکسید روی به عنوان فتوکاتالیست انتخاب و روی الکترود استیل ضدزنگ تثبیت شد. روش مورد استفاده برای تثبیت نانوذرات اکسید روی، فرآیند الکتروفورز بود و تصاویر sem از سطح الکترود قبل و بعد از تثبیت نشان داد که ذرات اکسید روی به طور یکنواخت تمام سطح فلز را می پوشانند. ماده رنگزای reactive navy blue sp-br به عنوان ماده آلاینده در بررسی اثر میدان الکتریکی بر حذف فتوکاتالیستی توسط فیلم اکسیدروی تثبیت شده، انتخاب شد. در این مطالعه اثر پارامترهای مختلف مانند غلظت اولیه آلاینده، ولتاژ اعمالی و جنس الکترود کار بر روی فرآیند فتوکاتالیستی در حضور میدان الکتریکی بررسی شد. سینتیک حذف ماده ی رنگزای reactive navy blue sp-brبا استفاده از مدل لانگمیر ـ هنشلوود توضیح داده شده است. مقادیر ثابت تعادل جذب سطحی (kads) و ثابت سرعت سینتیکی واکنش سطحی (kc) برای حذف فتوکاتالیستی در حضور میدان برابر با mg-1 l157/0 و mg l-1 min-1 359/0 به دست آمد. نانوذرات تیتانیم دی اکسید نیز بر روی الکترود استیل ضدزنگ به روش الکتروفورز تثبیت و اثر میدان الکتریکی بر حذف فتوکاتالیزوری آنها نیز بررسی شد. اثر پارامترهایی مانند غلظت اولیه آلاینده، ولتاژ اعمالی و جنس الکترود کار برای حذف فتوکاتالیستی در حضور میدان الکتریکی برای فیلم تیتانیم دی اکسید نیز بررسی گردید