در این پروژه رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی سولفید و سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته است.در بخش اول فتوالکتروشیمی نیمه هادی سولفید سرب را در حضور و غیاب مس بررسی می شود.به این منظور مس از محلول سولفات مس اسیدی (ph=1 )بر سطح الکترود سرب تحت یک پتانسیل ثابت ترسیب گردید.سپس سولفید سرب تحت یک پتانسیل ثابت با استفاده از محلول سولفید سدیم قلیایی (ph=13)بر آن ترسیب شد.سپس اثر مس بر رفتار فتوالکتروشیمیایی سولفید سرب در شرایط تاریکی و حضور نور باتکنیک های ولتامپرومتری چرخه ای ،کرونوآمپرومتری،و امپدانس بررسی شده است.نتایج نشان می دهد که در حضور مس پیک آندی سولفید سرب افزایش می یابد.با استفاده از تکنیک امپدانس در پتانسیل های مختلف نمودار مات-شاتکی برای هر دو نوع الکترود رسم گردیدو مقادیر پتانسیل نوار صاف و غلظت حاملین بار اکثریت از برون یابی و شیب خط محاسبه شده است. در بخش دوم ترسیب نیمه هادی سلنید سرب بر سطح الکترود سرب و بررسی رفتار فتوالکتروشیمیایی این نیمه هادی مورد تحقیق قرار گرفت.بنابراین سلنید سرب با استفاده از محلول دی اکسید سلنیم اسیدی بااستفاده از تکنیک کرونوآمپرومتری بر سطح الکترود سرب ترسیب گردیدو خواص فتوالکتروشیمیایی آن با تکنیک های ذکر شده در بالا مورد بررسی قرار گرفت.در بخش امپدانس مربوطه غلظت حاملین بار و پتانسیل نوار صاف سلنید سرب در تاریکی و تحت تابش با رسم نمودار مات شاتکی محاسبه گردیده است.