چکیده آرایه ای از نانوسیم های (co_x zn_(1-x)(x = 0-0.46 با قطر 35 نانومتر با استفاده از الکتروانباشت متناوب درون قالب اکسید آلومینیوم متخلخل آندی ساخته شد. مقدار x از طریق تغییر نسبت یون های کبالت و روی در محلول الکترولیت، تغییر یافت. از میکروسکوپ الکترونی عبوری و پیمایشی، پراش پرتو x، پراش الکترون، و مغناطومتر نیروی گرادیان متناوب برای مطالعه ساختار وخواص مغناطیسی نانوسیم ها استفاده شد. مشخص شد که غلظت، تابکاری و فرکانس الکتروانباشت بر روی خواص مغناطیسی تاثیر دارد. الگوی پراش پرتو x نشان داد که با افزایش درصد روی در نانوسیم ها، ساختار نانوسیم ها از ساختار بلوری hcp به ساختار آمورف تغییر می یابد. همچنین مشاهده شده که میدان پسماند 2050 اورستد و نسبت مربعی 98/0 برای آرایه ای از نانوسیم co_0.88 zn_0.12 با فرکانس الکتروانباشت 200 هرتز و تابکاری در 575 درجه سانتیگراد بدست می آید. الگوی پراش پرتو x نشان داد که ساختار این نانوسیم در اثر تابکاری از ساختار آمورف به ساختار تک بلور hcp با تک پیک (002)، تغییر فاز می دهد. مطالعات انجام شده نشان داد که خواص مغناطیسی نانوسیم ها را می توان با دوپ کردن نانوسیم ها با روی و انجام عملیات حرارتی مناسب به مقدار محسوسی بهبود داد. در این پایان نامه خواص مغناطیسی نانوسیم ها با استفاده از رقابت بین ناهمسانگردی شکلی و مغناطوبلوری مورد بحث قرار گرفته است. به علت میدان پسماند نسبتاً بالا و نسبت مربعی بودن نزدیک به یک، نانوسیم co_0.88 zn_0.12 بعد از تابکاری در 575 درجه سانتیگراد می توانند کاندیدای مناسبی جهت استفاده در حافظه های مغناطیسی باشند.