اغلب مدارات در محیط هایی در حال کار هستند که تغییرات دمایی بر آنها اعمال می شود و نوسان دما بر ولتاژ بایاس تاثیر گذاشته ، آن را جابجا می کند . از طرفی یکی از پارامترهای مهم در طراحی مدارات الکترونیک ، دستیابی به بیشترین دامنه نوسان متقارن جریان و ولتاژ در خروجی می باشد . لذا استفاده بهینه و اقتصادی از یک مدار و اخذ ماکزیمم نوسان متقارن در خروجی مستلزم بایاس مدار در نقطه ای است که بیشترین دامنه خطسانی متقارن در دو طرف آن قابل استحصال باشد . توجه به این فاکتور در ساخت مدارات مجتمع در حد معماری و بالاتر اهمیت خود را بیشتر نشان می دهد . چرا که برآیند غیر خطی ها در ترانزیستورهای مختلف موجود در یک ic ، نوسان خروجی را به شدت تحت تاثیر قرار می دهد .در این پروژه با داداه های جریان ولتاژ ، نمودارهای انواع ترانزیستور اثر میدانی سریع hemt ، در راستای تشخیص رفتار غیر خطی مشخصه هایشان مورد بررسی قرار گرفته است . سپس افت فشردگی بهره بعنوان یکی از مهمترین مشخصات طراحی مدارت غیر خطی نسبت به ولتاژ بایاس بررسی شده است و از بین انواع l-hemt ، p-hemt و m-hemt بهترین نوع و بازه بهینه بایاس ولتاژ در هر کدام ارائه شده است . در ادامه رفتار غیر خطی برای دستیابی به نقطه بهینه بایاسینگ ضمن در نظر گرفتن ملاحظات نوسان دما و برای داشتن بیشترین نوسان متقارن در خروجی بررسی شده است .