آزاد سازی تنش ایجاد شده ناشی از عدم تطابق لایه و زیرلایه در هنگام رشد غیر هم خانواده نیمه هادی ها منجر به رشد نانوساختارها با ویژگی های خاصی می شود. از جمله این نانوساختارها می توان به نقاط کوانتومی اشاره کرد. اخیراً نقاط کوانتومی به دلیل توسعه لیزرهای مادون قرمز، فوتودیودها، سلول های خورشیدی و تبدیل کننده های فوتوولتاییک مورد تحقیقات گسترده ای قرار گرفته اند. کارایی این ابزارها شدیداً تحت تأثیر عیوب و خواص الکتریکی فصل مشترک قرار می گیرد. فهم اتم گرایانه فرایندهای کنترل کننده کیفیت فصل مشترک، هنگام رشد برآرایی پرتو مولکولی اهمیت خیلی زیادی دارد و شبیه سازی ابزار مناسبی برای فهم اثرات تنش و کرنش هنگام رشد و برای توصیف مکانیزمهسته بندی عیوب است. در این پایان نامه، شبیه سازی مونت کارلوی جنبشی با تقریب میدان نیروی والانس برای محاسبه انرژی کرنش در توصیف رشد غیر هم خانواده نیمه هادی های مرکب به وسیله برآرایی پرتو مولکولی استفاده شده است. همچنین شدت پراش الکترون پر انرژی در بازتاب با استفاده از یک مدل شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهند که در دما و آهنگ انباشت ثابت، با افزایش میزان ناخوانی، اندازه بلورک ها کوچک شده و تابع توزیع آنها تیز می شود. همچنین نتایج نشان می دهند که با افزایش دمای زیرلایه تابع توزیع در یک ناخوانی ثابت تیزتر می شود.