رشد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات آن برای استفاده در آشکار سازهای مادون قرمز

هدف از این رساله دست یابی به تکنولوژی رسد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات ان و نهایتا ساخت اشکار سازهای فوتو رسانای insb می باشد. برای این منظور ضمن معرفی روشهای استاندارد رشد بلور با استفاد از روش برجیمن عمودی، نمونه هایی از تک بلور insb رشد داده شد. برای مقایسه این نمونه با نمونه های تجارتی، مشخصات بلور اندازه گیری قرار گرفت . این مشخصات عبارتند از تغییرات ثابت هال، رسانندگی، تحرک الکترون و حفره و اثر دما روی این مشخصات . میزان انعکاس اپیتیک برای طول موج های 2 تا 50 میکرون بر روی چند نمونه اندازه گیری شد و جرم موثر الکترون با استفاده از چگالی الکترونهای آزاد و نتایج بدست آمده از آزمایش انعکاس طیفی در هری کی از نمونه ها محاسبه گردید. همچنین از نحوه تغییرات تحرک با دما مکانیزم پراکندگی هر یک از نمونه ها مشخص شده است . با توجه به این نکته که برای ساخت اشکارسازهای فوتو رسانای insb، آشنایی با شاخصهای ارزیابی آشکارسازها، نوع تجهیزات و رادیومتری امواج مادون قرمز ضروری است برای بررسی دقیق هر یک از این موارد یک نمونه آشکار ساز تجارتی مورد اندازه گیری قرار گرفت تا با تحلیل نتایج، خواص الکتریکی بلور مورد نیاز تعیین شود.