طراحی سنسورتشخیص اثرانگشت به روش خازنی درپروسس cmos 0.35um

موضوع این پایان نامه طراحی یک سنسور تشخیص اثر انگشت به روش خازنی در پروسه um0.35 cmos می باشد. دراین پایان نامه مدار اصلاح شده سنسورتشخیص اثرانگشت با مساحت layout mm12.48×mm16.8 و توان مصرفی uw16.5 برای پیکسل فرورفتگی وuw166 برای پیکسل برجستگی ارائه می گردد.همچنین از یک روش جدیدبرای تعیین زمین وزمان شروع کارسنسوراستفاده شده است.سنسورطراحی شده ازسیستم محافظت دربرابر تخلیه ناگهانی الکتریسیته ساکن برخورداراست.این سنسور دارای 96×128 پیکسل که اندازه هر پیکسل 126 میکرومتر می باشد. میزان دقت این سنسور 201dpi می باشد.این سنسوردر پروسه 350 نانومتر cmosبا 1پلی و4 لایه فلز وفرکانس 325 کیلو هرتزطراحی و شبیه سازی شده است.کل زمان مربوط به خواندن پیکسل ها 38.4 میلی ثانیه می باشد