طراحی گیتهای منطقی با استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو تیوبهای کربنی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و الکترونیک
- نویسنده ژاله خلیلی
- استاد راهنما سعید گل محمدی علی رستمی
- سال انتشار 1393
چکیده
در این پایان نامه به تحلیل و شبیه سازی مدارهای مبتنی بر نانولوله های کربنی پرداخته ایم. به علت ابعاد کوچک در حد نانومتر در ادوات مبتنی بر نانولوله های کربنی پارامترهای توان مصرفی و تأخیر در این مدارات کاهش می یابد. تحلیل و شبیه سازی مدارات مبتنی بر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی از اهمیت به سزایی برخوردار است.
منابع مشابه
استفاده از نانو کامپوزیتهای کربنی در طراحی جاذبهای الکترومغناطیسی پهنباند
در حالت عادی ترکیبات کربن دارای جذب الکتریکی بالایی در محدوده باند فرکانسی مایکروویو میباشند. بمنظور افزایش جذب مغناطیسی این ترکیبات، نانو ذرات ناخالصی مانند فریتها، سنداستها و ذرات فلزی به آنها افزوده میشود. در این مقاله با بکارگیری نانو کامپوزیتهای کربنی یک ساختار جاذب الکترومغناطیسی معرفی شده است. این جاذب بصورت چندلایه و در محدوده باند X مایکروویو (GHz4/12-2/8) با استفاده از خواص الکت...
متن کاملطراحی و شبیه سازی گیتهای منطقی مبتنی بر دیودهای اثر میدانی نانومتری با اتصالات جانبی
طراحی گیتهای منطقی با استفاده از قطعات جدید اثر میدانی به نام دیودهای اثر میدانی
طراحی و بهینهسازی یک تمام جمعکنندۀ تقریبی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولولۀ کربنی و بررسی کاربرد آن در پردازش تصویر دیجیتال
با توجه به افزایش چشمگیر حجم دادههای پردازشی و نیاز به سرعت بیشتر در پردازش آنها، به استفاده از روشهای نوین در طراحی مدارهای دیجیتال توجه شده است. نظر به اهمیت مصرف توان در وسایل الکترونیکی، طراحی مدارهایی ضروری است که به کاهش مصرف توان، مساحت و نیز افزایش سرعت پردازندهها منجر شود. استفاده از محاسبات تقریبی در کنار ترانزیستورهای نانولولۀ کربنی، یکی از روشهای مطرحشده در این حوزه است. با توج...
متن کاملیک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو میباشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر میباشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار میگیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...
متن کاملیک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو میباشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر میباشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار میگیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...
متن کاملاندازهﮔﻴری فوﻟﻴﮏ اﺳﻴﺪ توسط حسگر الکتروشیمیایی مبتنی بر نانو ذرات کربنی/نانو ﻓﻴﺒر سلولز
در کار حاضر، یک حسگر الکتروشیمیایی برای داروی فولیک اسید توسط نشاندن سوسپانسیون نانو رشتههای سلولزی/نانو ذرات کربنی (CNFs/CNPs) بر روی الکترود کربن شیشهای ساخته شد. ترکیب نانو رشتههای سلولزی با نانو ذرات کربنی منجر به تولید نوع جدیدی از نانو کامپوزیتهای فعال الکتروشیمیایی شد. سطح لایهی نانو رشتههای سلولزی/نانو ذرات کربنی نشانده شده بر الکترود کربن شیشهای توسط تکنیک میکروسکوپی نیروی اتمی ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و الکترونیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023