مقاومت مغناطیسی تونل زنی در ساختارهای نامتجانس نیم رسانای مغناطیسی رقیق
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم
- نویسنده مریم السادات هاشمی
- استاد راهنما علی اصغر شکری احمد آخوند
- سال انتشار 1393
چکیده
پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است
منابع مشابه
بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی نیم رسانای رقیق شده ترکیب zn1-xmnxo
در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...
15 صفحه اولتونل زنی جوزفسونی از مولکول مغناطیسی ناهمسانگرد
تک مولکول مغناطیسی بستری مناسب برای توسعه ی سیستم های ترابرد اسپینی است. از این رو در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تحقیقات انجام شده روی انتقال الکترونیکی و اسپینی از مولکول های مغناطیسی، هنوز در مراحل اولیه است. به علاوه، تنها در سال های اخیر امکان اتصال تک مولکول های مغناطیسی به الکترودهای ابر رسانا فراهم گردیده است. در این مجموعه، هدف، مطالعه ی ویژگی های انتقال الکترونی از طر...
15 صفحه اولتونل زنی الکترون با اسپین قطبیده در نانو ساختارهای مغناطیسی در حضور ناکاملی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثر ناهمواری در فصل مشترک ها بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در fe/mgo/fe
در این رساله، با استفاده از تقریب بستگی قوی تک نواری و رهیافت تابع گرین، اثر ناهمواری بر مقاومت مغناطیسی تونل زنی (tmr) در پیوندگاه های fe/mgo/fe محاسبه شد. پدیده ی tmr در اثر تونل زنی اسپین الکترون در پیوندگاه های مغناطیسی تونل زنی مشاهده می شود. این پیوندگاه ها از لایه های فرومغناطیسی که توسط لایه ی نازک عایق از هم جدا شده اند، تشکیل شده است. به دلیل مشاهده ی مقادیر زیاد tmr برای سد بلوری mgo...
15 صفحه اولمقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی
در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023