کنترل نوار عبوری در گاف نواری در بلورهای فوتونیک یک بعدی ناخالص
پایان نامه
- دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت - دانشکده علوم
- نویسنده زهره موسوی
- استاد راهنما محمود براتی حبیب اله شهری
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از طول موج و دما به طور هم زمان در نظر گرفته می شود، در حالی که ضریب شکست هوا مستقل از طول موج و دما است.طول موج مرکزی مد نقص به پهنای لایه ی نقص وابسته است، بنابراین می توان طول موج مرکزی مد نقص را با تغییر در پهنای لایه ی نقص تغییر داد، از این خاصیت می توان برای جدا سازی و ایجاد طول موج های معین از خروجی یک دستگاه اپتیکی متشکل از بلورهای فوتونیک استفاده نمود.
منابع مشابه
بررسی گاف کامل فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی پلاسمایی
: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار میگیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان میدهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظهای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...
متن کاملمهندسی گاف نوار فوتونی در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از ضرایب فرنل و مقایسه آن با نتایج روش ماتریس انتقال
In this paper photonic band gaps of 1D photonic crystal are compared by using transfer matrix method and Fresnel coefficients method. In Fresnel coefficients method, the refractive indices of each layer and incidence light angle to the surface are used for calculating Fresnel coefficients, and then the necessary and sufficient condition for a 100% reflection from the surface of double layer die...
متن کاملبررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی
بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...
متن کاملمحاسبه ساختار نواری، ضرایب جذب و تراگسیل بلورهای فونونی یک- و دو-بعدی
در این مقاله، ما انتشار امواج صوتی در بلورهای فونونی یک-بعدی و دو-بعدی را بررسی کرده‌ایم. بلورهای فونونی متشکل از ردیف‌های مربعی شامل استوانه‌های مملو از فلزات گروه سوم جدول تناوبی برای مثال آلومنیوم و نیکل در زمینۀ هوا و اپوکسی میباشند. ابتدا با استفاده از روش بسط امواج تخت ساختار نواری این بلورها را محاسبه نمودیم، سپس ضرایب جذب و تراگسیل و بعلاوه توزیع فشار در آن‌ها را تعیین کردیم. اندازه اب...
متن کاملمهندسی گاف نوار فوتونی در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از ضرایب فرنل و مقایسه آن با نتایج روش ماتریس انتقال
در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...
متن کاملمحاسبه ساختار نوار کریستالهای فتونیکی دو بعدی و طراحی فیلترهای گاف نواری فتونیکی
کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت - دانشکده علوم
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023