بررسی اثر لایه های سد و پوش بر عملکرد سلول خورشیدی با ساختار چاه کوانتومی گالیم نیترید/ایندیوم گالیم نیترید

خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ساخت، از این رو ساختار های چاه کوانتومی چندگانه یا همان لایه های جاذب ابر شبکه ingan/gan برای ساخت سلول های خورشیدی نیتریدی به کار گرفته می شوند. برای بیشینه نمودن بازدهی لایه جاذب، تکنیک های رشد متعدد از جمله رشد دو مرحله ای ماده سد استفاده می شود و کسری از ماده سد را در شرایط متفاوتی رشد می دهند به نحوی که میزان ناخالصی های ناخواسته، ناکاملی ها و ترازهای تله ای در این بخش به حداقل برسد. این بخش از ماده لایه پوش نام دارد. در این پایان نامه دو ساختار سلول خورشیدی چاه کوانتومی یکی بدون لایه پوش و دیگری با لایه پوش بررسی شده اند. در گام نخست با در نظر گرفتن سه ضخامت مختلف برای لایه سد، اثر ضخامت این لایه را بررسی کرده ایم. با انتخاب بهینه مقدار ضخامت(8nm) از مرحله اول، در گام بعدی کسری از این سد بهینه را به پوش اختصاص داده ایم. این بار نیز سه نمونه متفاوت در ضخامت پوش را بررسی کرده و با انتخاب بهینه پارامتر های نهایی، بازده تبدیل ?=42% حاصل می شود که نسبت به حالت پایه 3% افزایش داشته است.