بررسی ساختاری لایه نازک cis تهیه شده به روش الکتروشیمیایی جهت استفاده در سلول خورشیدی نانوساختار

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن بر روی آن ها به روش کندوپاش لایه نشانی شده است، انجام شد. پس از ساخت این لایه ها، یک لایه به ضخامت 180nm ‎ فلز آلومینیم به عنوان کاتد بر روی آن ها به روش تبخیر حرارتی لایه نشانی و مشخصه جریان-ولتاژ آن ها اندازه گیری شد. سپس رفتار دیودی آن ها توسط معادلات شاتکی بررسی شد و چهار پارامتر عامل ایده آل، ارتفاع سد پتانسیل، چگالی جریان اشباع معکوس و نسبت یکسوسازی برای هرکدام از آن ها محاسبه شد. با مقایسه این پارامترها برای سه نمونه cis‎ با غلظت های مختلف ایندیم مشخص شد که سه پارامتر عامل ایده آل، ارتفاع سد پتانسیل و نسبت یکسوسازی با افزایش مقدار ایندیم افزایش یافته است و مقدار ارتفاع سد پتانسیل برای همه نمونه ها و نمونه cigs مقدار ‎0.1 ev‎ به دست آمد.