بررسی ویژگی های ساختاری لایه های نازک نانوساختار (aln) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی(dc) با تغییر شرایط نهشت
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
- نویسنده نسرین نظری هروانی
- استاد راهنما حسن بیدادی مجتبی پرهیزکار حمید نقش آرا
- سال انتشار 1393
چکیده
لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن ساختار تنگ پکیده ی شش گوشی وورتزیت توجه زیاد پژوهش¬گران را به خود جلب کرده است. روش¬های نهشت مختلفی برای تهیه یaln توسط پژوهش¬گران به کار رفته است همانند انباشت فاز بخار، نهشت به وسیله ی باریکه ی مولکولی( mbe) ، نهشت با لیزر پالسی وکندوپاش مگنترونی واکنشی. روش کندو پاش مگنترونی واکنشی از متداول¬ترین روش¬های به کارگیری نهشت بخار فیزیکی برای تهیه ی aln است، زیرا می¬توان aln با ارجح ترین جهت گیری را به دست آورد. در میان تکنیک¬های کندوپاش،کندوپاش مگنترونیdc تکنیکی صنعتی تر محسوب می¬شود، زیرا این روش برای رشد فیلم ها بر روی سطوح بزرگ زیرلایه با نرخ¬های نهشت بالا ودمای پایین زیرلایه وکنترل ¬ترکیب شیمیایی فیلم¬ها مناسب می باشد. در این تحقیق فیلم¬های نازکی از aln ازطریق سیستم کندوپاش مگنترونی واکنشی تحت تغییرات شرایط نهشت تهیه واثر تغییرات این پارامترها بر روی ویژگی های ساختاری لایه ها با استفاده از پراش پرتو ایکس xrd ) ) ودر صورت امکان میکروسکوپ الکترونی روبشی( sem ) بررسی خواهد شد.
منابع مشابه
تهیه لایه های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید (aln) با روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی ویژگی های الکتریکی آن ها با تغییر شرایط نهشت
آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...
بررسی ویژگیهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار(altin) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه (rf وdc) با تغییر شرایط نهشت
نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، در حالیکه tin یک رسانای خوب است در نتیجه افزایش میزان aln در ترکیب باعث افزایش گاف انرژی ترکیب شده، که این امر باعث اف...
15 صفحه اولتأثیر زمان لایه نشانی بر خواص ساختاری و فیزیکی پوشش های کربنی لایه نشانی شده با روش کندوپاش مگنترونی
متن کامل
بررسی ساختاری لایه های نازک CdS ساخته شده روی زیرلایه های با شرایط متفاوت
لایه های نازک سولفید کادمیم، با استفاده از روش تبخیر آنی با نرخ لایه نشانی nm/s 5/2 و ضخامت تقریبی nm 800 در خلاء )6-10 5 تور( ساخته شدند. در این پژوهش، به منظور مطالعه آثار زیرلایه روی خواص ساختاری نمونه ها، از دو نوع زیر لایه، شیشه و ( ITO )Indium Tin Oxide استفاده گردید. خواص ساختاری نمونه ها توسط پراش اشعه ایکس مورد بررسی قرار گرفت. محاسبه پارامترهای ساختاری آشکار نمود که نمونه ه...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023