ساخت و تجزیه و تحلیل دیود نوری گالیوم آرسناید جهت تشخیص نور فرابنفش
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق
- نویسنده فرهود رسولی
- استاد راهنما علیرضا صالحی
- سال انتشار 1393
چکیده
حسگرهای فرابنفش برای تشخیص تابش فرابنفش در محیطی که اشعه خورشید حضور دارد، کاملاً ضروری هستند. علاوه بر این، چنین حسگرهایی در پزشکی برای ضد عفونی کردن و تشخیص میکروب ها و قارچ ها، در زیست شناسی برای تشخیص سوراخ های لایه ازون و در نورسنجی و طیف سنجی مورد استفاده قرار می گیرند. همچنین، برای ساختن ابزار آلات نظامی جهت ردیابی موشک ها و در بسیاری دیگر از زمینه های علوم و مهندسی، اینگونه آشکارسازها به کار برده می شوند. در اکثر این زمینه ها، دیودهای نوری فرابنفش باید تنها در یک محدوده طیفی باریک، حساس باشند. در اکثر مواقع، دیود نوری فرابنفش سیلیکونی با مجموعه ای از فیلترهای نوری بدین منظور استفاده می شود. چنین حسگری دارای طراحی بسیار پیچیده ای است که در آن فیلترها هنگام قرارگیری در معرض تابش فرابنفش خاصیت خود را از دست می دهند. به علاوه، حساسیت دیودهای نوری سیلیکونی با کم شدن طول موج به سرعت کاهش پیدا می کند. استفاده از یک نیمه هادی با شکاف باند انرژی بزرگتر می تواند حساسیت آَشکارسازهای نوری را افزایش دهد. در این پروژه دیود شاتکی ag/n-gaas جهت آشکارسازی تابش فرابنفش ساخته شده است. جابجایی مشخصه جریان- ولتاژ در این دیود قبل و بعد از اعمال تابش فرابنفش مورد بررسی قرار گرفته است. وجود فلز نقره در این آشکارساز از اهمیت ویژه ای برخوردار است. در فصل اول این پایان نامه به معرفی دیود های نوری پیوندی می پردازیم و نحوه عملکرد آن ها را توضیح می دهیم. در فصل دوم دیود های نوری سد شاتکی مورد بررسی قرار می گیرند. فصل سوم به معرفی چند نمونه از آشکارسازهای فرابنفش ساخته شده اختصاص دارد. نهایتاً در فصل چهارم کارهای آزمایشگاهی انجام شده به منظور آشکارسازی تابش فرابنفش توسط پیوند شاتکی نقره و گالیوم آرسناید و نتایج حاصله را بیان خواهیم کرد. در فصل پنجم که فصل آخر این پایان نامه می باشد، جمع بندی، نتیجه گیری و چند پیشنهاد جهت کارهای آینده در این زمینه مطرح گردیده است.
منابع مشابه
طراحی و ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون و بررسی نقش نانولایه گرافین در پاسخدهی نوری آن
در این پژوهش پاسخدهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایهای از گرافین بر روی زیرلایهای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایهنشانیهای کروم- طلا (ضخامت لایههای کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...
متن کاملاندازه گیری ثابت هال در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Fe مورد استفاده در ساخت سنسورهای پیشرفته
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروههای III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور میشود. این ساختار به ساختار شبکهی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتمهای آرسنیک یا گالیوم اشغال میشود. از این نیمرسانای استفادهی گستردهای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...
متن کاملساخت نانوساختارهای اکسیدروی جهت کاربرد در آشکارسارزهای نوری فرابنفش
ساخت، مشخص ه یابی و آشکارسازی نوری لایه نازک و نانوساختارهای یک بعدی (نانومیله و نانوالیاف ) اهداف این تحقیق اند . ریخت شناسی، خواص بلوری و نورتابی ساختارها ی رشد یافته در (zno) اکسیدروی و طیف سنج (xrd) x پراش پرتو ،(sem) هر مرحله با ابزارهای میکروسکوپ الکترون ی روبشی nm 525 ~ و میانگین قطر دانه nm به ضخامت zno فلوئورسانس بررسی شده اند . لایه نازک چند بلوری رشد یافته است . حساسیت، سرعت پاسخ...
15 صفحه اولطراحی و ساخت دیود نور گسیل آلی
در این پایان نامه ابتدا ساختار دیود نورگسیل آلی و مکانیزم عملکردی آن را مورد بررسی قرار دادیم سپس موادی که در لایه های مختلف ساختار دیود نورگسیل آلی استفاده می شود را معرفی کردیم و روش های ساخت oled را تشریح کردیم. در انتها ساختار مورد نظر خود را با در نظر گرفتن مواد مختلف برای لایه های دیود نورگسیل توسط نرم افزار مورد شبیه سازی قرار دادیم و دیاگرامهای مختلف بدست آمده از جمله دیاگرام باند انر...
طراحی و ساخت حسگر مغناطیسی اثر هال با نیمه هادی گالیوم آرسناید gaas به روش mbe
هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...
15 صفحه اولرسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروههای III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور میشود. این ساختار به ساختار شبکهی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتمهای آرسنیک یا گالیوم اشغال میشود. از این نیمرسانای استفادهی گستردهای در تکنولوژی و ساخت قطعات...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023