اثر تزریق ناخالصی های p 2 بر خواص الکترونی و مغناطیسیگرافین

گرافین نازک ترین ماده موجود در جهان است که از یک لایه گرافیت ساخته شده و ضخامت آن در حدود یک اتم است. گرافین در سال 2004 توسط دو دانشمند از دانشگاه منچستر سنتز شد و در سال 2010 هم این دو دانشمند به خاطر تولید گرافین، جایزه نوبل فیزیک را از آن خود کردند. بنا بر نظر بسیاری از دانشمندان علوم و فناوری، گرافین به علت خواص منحصر به فرد و فراوانی آن، می تواند جایگزین خوب و مطمئنی برای نیمه رساناهایی نظیر سیلیکون در صنایع نانو الکترونیک و بسیاری از صنایع دیگر باشد. سرعت حرکت حامل های بار در گرافن بسیار بالاتر از سرعت حرکت حامل های بار در سیلیکون می باشد پس دستگاه های الکترونیکی ساخته شده از گرافین می-توانند با سرعت های بیشتری نسبت به سیلیکون کار کنند. یکی از مشکلات صنعتی شدن این عنصر نیمه رسانا گاف انرژی صفر آن است، که این گاف صفر باعث نشت جریان در حالت خاموش برای قطعات ساخته شده از این عنصر می شود و کاربرد این ماده را در صنعت نانو محدود کرده است. در این پژوهش محاسبات ما برپایه نظریه تابعی چگالی و کد محاسباتیwien2k و با استفاده ازتقریب gga انجام شد. ابتدا با بهینه کردن پارامترهای محاسباتی ساخنار گرافین تخت تک لایه و ابر یاخته آن را شبیه سازی کردیم و گاف صفر انرژی آن مورد تایید قرار دادیم.سپس ناخالصی از نوع nو b را وارد صفحه ی گرافینی کردیم مشاهده نمودیم که وارد کردن ناخالصی گذار فار از نیمرسانایی به رسانا انجام می گیرد.