اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی توام نانوسیال در یک محفظه t شکل

در این پایان¬نامه، انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه t شکل مورب پر شده از نانوسیال آب- مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره¬ها عایق می¬باشند. همچنین در ادامه انتقال حرارت جابجایی توام در یک محفظه t شکل با ورود نانوسیال آب-مس از کف محفظه و خروج آن از بالای محفظه، که تحت میدان مغناطیسی ثابت قرار دارد، به روش عددی مورد بررسی قرار گرفته است. دیواره¬های داخلی محفظه در دمای ثابت th گرم قرار دارند و ورودی نانوسیال به محفظه دمای سرد tc را دارد. همچنین سایر دیواره¬ها عایق می¬باشند. معادلات بقای جرم، ممنتوم و انرژی، به¬روش حجم محدود بر¬روی یک شبکه یکنواخت جابجا شده توسط الگوریتم سیمپل حل شده¬اند. به¬کمک نتایج عددی، تاثیر پارامترهای وابسته مانند عدد ریچاردسون (0.01?ri?10)، عدد رینولدز (10?re?400)، عدد هارتمن (0?ha?80)، نسبت منظری محفظه (0.1?h?0.4) و درصد حجمی نانوذرات (0???0.06) در محفظه t شکل باز و عدد هارتمن، درصد حجمی نانوذرات، زاویه چرخش محفظه (0°???90°) و عدد ریلی (?10?^3?ra??10?^6) در محفظه t شکل بسته مورب بر روی میدان جریان و دما و میزان انتقال حرارت محفظه مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان می دهد، در رینولدزهای پایین اضافه شدن عدد هارتمن به میزان اندکی نوسلت متوسط را افزایش می دهد ولی در رینولدزهای بالا، افزایش هارتمن اثر خود را بیشتر نشان می دهد. در رینولدز 400، انتقال حرارت سیال خالص بیشتر از نانوسیال می باشد. با افزایش عدد هارتمن، این تاثیر معکوس نانوسیال بر انتقال حرارت، کاهش می یابد و در هارتمن 80، نوسلت نانوسیال بیشتر از سیال خالص می شود. با افزایش طول منابع گرم، تاثیر نانوسیال بر انتقال حرارت افزایش می یابد. در ریچاردسون 01/0 و 1، بیشترین انتقال حرارت در نسبت منظری 4/0، رخ می دهد ولی در ریچاردسون 10، بیشترین انتقال حرارت در نسبت منظری 1/0 رخ می دهد. با افزایش عدد ریچاردسون، نوسلت متوسط افزایش می یابد. این افزایش انتقال حرارت با افزایش نسبت منظری محفظه، کاهش می یابد.