اثراتلاف و پاشندگی اپتیکی بر مشخصه های مگنتواپتیکی بلورهای مگنتوفوتونی یک بعدی

پایان نامه
چکیده

مواد مگنتواپتیکی در طول موج های مختلف، پاسخ های مگنتواپتیکی متفاوتی از خود نشان می دهند. از اینرو، بلور های مگنتوفوتونی نیز به عنوان ساختارهایی که سبب تقویت شدید اثرات مگنتواپتیکی می شوند در طول موج های مختلف، رفتار متفاوتی خواهند داشت. در تحقیقات انجام شده، برای سادگی مسأله، رفتار مگنتواپتیکی بلورهای مگنتوفوتونی بدون در نظر گرفتن اتلاف و پاشندگی مواد تشکیل دهنده ی بلور بررسی شده است. در این پایان نامه، اثر اتلاف و پاشندگی اپتیکی مواد بر مشخصه های مگنتواپتیکی بلور های مگنتوفوتونی یک بعدی مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. مشاهده می شود که به ازای اعداد تکرار بالاتر ساختار، مد تشدیدی در طیف تراگسیل به دو مد تبدیل می شود. همچنین طبق نتایج به دست آمده، با در نظر گرفتن پاشندگی برای ساختار کاواک یگانه، مد های چپگرد و راستگرد به سمت طول موج طراحی انتقال می یابند. زمانیکه اتلاف اپتیکی برای ساختار کاواک یگانه لحاظ می شود مد(های) تشدیدی طیف های تراگسیل و چرخش فارادی کاهش می یابند. در بررسی ساختارهای کاواک دوگانه مشاهده شد که مد تشدیدی تراگسیلی و چرخش فارادی در دو طول موج مختلف اتفاق می افتد. محاسبات ما نتایج مشابهی را برای نحوه ی تغییرات مدها با در نظر گرفتن پاشندگی و اتلاف اپتیکی برای هر دو نوع ساختار (کاواک یگانه و کاواک دوگانه) نشان می دهند. همچنین در بخش آخر این پایان نامه، تأثیر تغییرات ضخامت لایه ی مگنتواپتیکی در بلور مگنتوفوتونی با ساختار کاواک یگانه مطالعه شده است.

منابع مشابه

خواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر

در این مقاله، ویژگی‌های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می‌دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش‌های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت‌های خاص و معینی می‌تواند دارای ض...

متن کامل

تأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

متن کامل

خواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر

در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت های خاص و معینی می تواند دارای ض...

متن کامل

بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

متن کامل

تأثیر استفاده از مواد با ضریب شکست منفی بر روی طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی با مغناطش طولی

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن شدگی در طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می دهد. در واقع، نتایج نش...

متن کامل

بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بناب - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023