بررسی مشخصه های جریان-ولتاژ نانواسکوئیدهای dc
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده علوم پایه
- نویسنده خاطره بلوچ رودباری
- استاد راهنما محمد اعتصامی محمد مهدی حسینی محمدرضا هوشمند اصل
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
در چند سال اخیر انواعی از نانواسکوئیدهای dc ساخته و مورد بررسی قرار گرفته¬اند. دو موضوع مهم در مورد چنین قطعه¬هایی آثار نوفه ها در دو پیوندگاه آنها و انحراف رابطه جریان- فاز پیوندگاه¬ها از شکل ساده سینوسی می¬باشد. ما آثار افت وخیزها را با درنظرگرفتن دو جریان تصادفی (نوفه ای) مستقل در دو پیوندگاه که میانگین زمانی هر یک صفر و همبستگی زمانی آن متناسب با تابع دلتای دیراک می¬باشد منظور کرده¬ایم. رابطه جریان- فاز به ازای مقادیر مختلف نسبت طول پیوندگاه (نانوپل دیم) به طول همدوسی فیلم¬های ابررسانا را از حل عددی دو معادله حاصل از معادلات گینزبورگ-لاندائو بدست ¬آورده¬¬ایم، در این چارچوب با حل عددی دستگاه معادله لنجوینی حاکم بر دینامیک نانو اسکوئید متقارن، مشخصه¬های مهم جریان-ولتاژ- شار آن را بدست آورده و مورد بحث قرار داده¬ایم. برای بدست آوردن رابطه جریان- فاز از زیر برنامهfzero متلب و برای حل دستگاه معادله لنجوینی از روش اویلر یا رونگ¬کوتا و برای محاسبه نوفه ولتاژ و نوفه شار از روش ولچ از زیر برنامه pwelchمتلب بهره ¬برده¬ایم. منحنی جریان- فاز برای نسبت به¬صورت سینوسی است و هر چه این نسبت بزرگتر می¬شود، این منحنی از حالت سینوسی منحرف می¬گردد تا آنجا که برای چندمقداری می¬شود و با افزایش نسبت مقدار بیشینه نمودار کاهش می¬یابد. نتایج بدست آمده نشان دهنده رابطه خطی میان نوفه شار و است. در انتها مشخصه¬های جریان- ولتاژ- شار نانواسکوئیدهای dcنامتقارن را به¬¬طور مختصر بررسی می¬کنیم. در مواردی از بسط فوریه سینوسی که فقط شامل هماهنگ اول و دوم باشد به¬عنوان رابطه جریان- فاز استفاده کرده¬ایم. ما پیوندگاه¬ها را تندمیرا و تنها عدم تقارن مقاومتی و جریانی را برای آنها منظور کرده¬ایم.
منابع مشابه
تحلیل، طراحی و شبیهسازی یک مبدل dc/dc کاهنده با کلیدزنی تحت ولتاژ و جریان صفر
این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدلهای dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم میپردازد. یکی از مزیتهای ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المانهای مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آنها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانسهای بالا است. در این مقاله اصول عمل...
متن کاملوابستگی دمایی مشخصه های جریان- ولتاژ مولکول c۶۰
با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور، اثر دما بر مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) مولکول c60 در سیستم فلز/c60/ فلز به صورت عددی بررسی می شود. علاوه بر این، تاثیر قدرت جفت شدگی الکترون- فونون بر خواص الکترونی این مولکول نیز مورد بحث قرار می گیرد. مشخصه های i-v مولکول در دو حد دمایی t=3k و t=300k تعیین می شوند. نتایج ما نشان می دهد، مولکول c60 که در دماهای پایین خاصیت نیم رس...
متن کاملبررسی نظریه گرینبرگ در مورد مشخصه های ولتاژ- جریان اسکوئیدهای dc دمای بالای متقارن و نامتقارن
ما در این پایان نامه مشخصه های ولتاژ- جریان – شار اسکوئیدهای dc دمای بالای متقارن و نامتقارن را مورد بررسی قرار داده ایم. کار اصلی ما که در فصل های چهارم و پنجم آورده شده، بررسی نظریه گرینبرگ در این مورد می باشد. این نظریه تحلیلی مهمی است که گرینبرگ و همکاران او در یک سلسله کارهای نظری، تجربی و محاسباتی هماهنگ که نتایج آنها در شش مقاله چاپ شده، به آن پرداخته اند. ما برای اسکوئید dcنا متقارنی ...
15 صفحه اولمشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی
In this paper, current-voltage characteristic of a resonant tunneling diode under electromagnetic radiation has been calculated and compared with the results when there is no electromagnetic radiation. For calculating current -voltage characteristic, it is required to calculate the transmission coefficient of electrons from the well and barrier structures of this device. For calculating the tr...
متن کاملتحلیل، طراحی و شبیه سازی یک مبدل dc/dc کاهنده با کلیدزنی تحت ولتاژ و جریان صفر
این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدل های dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم می پردازد. یکی از مزیت های ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المان های مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آن ها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانس های بالا است. در این مقاله اصول عمل ...
متن کاملیک مبدل ایزوله افزاینده DC/DC جدید با کلید زنی در ولتاژ صفر
در این مقاله یک مبدل افزاینده سوئیچینگ، فلای بک جدید ارائه گردیده است. در ابتدا مبدل به صورت سخت کلید زنی میشود که در این حالت به صورت کامل تحلیل شده است. سپس مدار کمکی جهت نرم کردن کلیدزنی کلید اصلی آن به مبدل اضافه شده است که مدار کمکی در این مبدل نه تنها شرایط سوئیچینگ نرم را برای کلید اصلی مبدل فراهم میسازد بلکه از جهشهای ولتاژ دو سر کلید اصلی در هنگام خاموش شدن در اثر سلف نشتی ترانسفورم...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023