بررسی خواص اپتیکی گرافین دولایه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه
- نویسنده لیلا یونسی بروجنی
- استاد راهنما مهدی سعادت ایوب اسماعیل پور
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
در این پایان نامه به بررسی خواص اپتیکی گرافین دو لایه می پردازیم. درفصل اول با بررسی مفاهیم پایه در مورد گرافین یک لایه،نحوه ی شکل گیری گرافین، ساختار نواری،پراکندگی انرژی، توابع موج،تایت باندینگ در شبکه ی شش گوشه ی گرافین، چگالی حالات ودر نهایت رسانندگی گرافین یک لایه، یک دید کلی نسبت به کارهایی که باید درمورد گرافین دو لایه انجام دهیم پیدا می کنیم وسپس در فصل های بعدی همان مفاهیم فصل اول را به صورت گسترده تربه گرافین دو لایه تأمین می دهیم. گرافین دو لایه به دو دسته تقسیم می شود:1)دولایه ی برنال (ab)و 2)گرافین دولایه ی aa،که در فصل دوم گرافین دو لایه ی توده ی ab رابررسی میکنیم و فصل سوم رابه بررسی خواص اپتیکی ورسانندگی گرافین دو لایه ی توده ی aa اختصاص می دهیم. دربررسی رسانندگی برای هر دونوع گرافین،رسانندگی طولی ورسانندگی عمودی مورد بحث قرار می گیرند به طوریکه با استفاده ازرابطه ی بین هامیلتونی توابع موج وتابع گرین،عناصر ماتریس تابع گرین را می یابیم، سپس با توجه به رابطه ی میان تابع گرین وتابع طیفی عناصر ماتریس تابع طیفی را یافته ودر نهایت با جایگذاری عناصر مورد نیاز تابع طیفی در فرمول رسانندگی،رسانندگی طولی یا عمودی را بدست می آوریم که در انتهای هر فصل با ارائه طرح هایی کارهای تحلیلی با کارهای عددی مقایسه شده اند .
منابع مشابه
تأثیر میدان الکتریکی بر خواص الکترونی و اپتیکی گرافندولایه، بوروننیترید دولایه و دولایۀ گرافن/بوروننیترید
در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بوروننیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بوروننیترید با چینش AB بررسی کردهایم. بررسی ما نشان میدهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترلپذیر میشود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافیندولایه، رابطۀ پاشندگی ا...
متن کاملرسانش در گرافین دولایه
در این رساله، ویژگی های ترابردی اتصالات گرافین دو لایه را از لحاظ نظری بررسی می کنیم، که در آن یک لایه گرافین فرومغناطیس شده بین گرافین های نرمال ساندویچ شده است. رسانش سیستم بر اساس فرمول لاندائو - بوتیکر محاسبه می شود .در این اتصالات، ما می توانیم گاف انرژی و ساختار نواری گرافین دو لایه را با استفاده از ولتاژ بایاس بین لایه ها و میدان تبادلی القا شده بر روی لایه ها کنترل کنیم. همچنین مشخص گرد...
15 صفحه اولساخت و مطالعه خواص ساختاری و اپتیکی ساختار دولایه ای تلورید کادمیوم/ سولفید کادمیوم بر روی زیرلایه ITO
در این پژوهش به ساخت و مطالعه خواص ساختاری و اپتیکی، نحوه رشد لایهها و بازده کوانتومی ساختار دولایه ای تلورید کادمیوم/ سولفید کادمیوم بر روی زیرلایه ITO جهت ساخت سلولهای خورشیدی پایه تلورید کادمیوم پرداخته شده است. دولایهای اشاره شده به کمک روش لایهنشانی فیزیکی در فاز بخار (PVD) ساخته شد. به منظور یافتن ساختار بلوری مربوط به هرکدام از لایه ها و یا مشاهده فاز جدید تشکیل شده در قسمت سطح مشترک...
متن کاملترابرد الکترونی در نانوساختارهای گرافین دولایه
گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به اند...
15 صفحه اولبررسی خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3
در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...
متن کاملبررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن
We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023