فشار میدان میرا روی یک ساختار دی الکتریک تخت سه لایه ای به عنوان یک مدل برای سلولهای چسبیده به سطح
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم
- نویسنده پروین الیاسی پور
- استاد راهنما عبدالله حسن زاده
- سال انتشار 1392
چکیده
فشار اپتیکی یک باریکه ی لیزر برای به دام انداختن، جابه جا کردن، چیدن و شتاب دادن ذرات در ناحیه ی طول موج های مرئی از اهمیت ویژه ای برخوردار است. که از جمله کاربرد های آن می توان به حرکت دادن و چیدن سلول ها، باکتری ها و ویروس ها اشاره کرد. در تحقیقات انجام شده ای قبلی در این زمینه فشار وارد بر یک فیلم نازک یا یک کره دی الکتریک با ضریب شکستی که بسیار بزرگتر از ضرایب شکست اجزای سلولی بوده، مورد بررسی قرار گرفته است. در این پایان نامه سعی داریم فشار وارد بر سلول های چسبیده به سطح را با ساختار سه لایه ای به جای یک لایه و با ضرایب شکست بیولوژیکی از طرف میدان میرای جفت شده با پلاسمون های سطحی در دو سیستم اپتیکی چند لایه مورد بررسی قرار دهیم. سیستم اول شامل منشور، یک سلول، یک فیلم نازک فلزی و یک لایه دی الکتریک قرار گرفته بر روی وجه منشور می باشد. خود سلول از دو لایه غشاء و یک لایه سیتوپلاسم میانی تشکیل شده است که در آب غوطه ور است.با تابش یک موج الکترومغناطیسی تخت با قطبش p تحت زوایای بزرگتر از زاویه ی حد به فصل مشترک منشور-دی الکتریک، نور تابشی در این مرز دچار بازتابش داخلی شده و به درون منشور بازتابیده خواهد شد. با این پدیده یک میدان میرای کوتاه برد در دی الکتریک به وجود می آید. در شرایطی که ثابت انتشار پلاسمون سطحی با موج میرا در سیستم چند لایه برابر باشد، میدان میرا با پلاسمون سطحی جفت می شود، این پدیده را تشدید پلاسمون سطحی می نامند. در این حالتمیدان های تشدیدی در مرز های دو طرف سلول تولید شده و بر آن فشار اپتیکی وارد می کنند. در سیستم دوم (که شامل منشور، یک لایه دی الکتریک با ضریب شکست پایین، یک لایه دی الکتریک تشدیدی با ضریب شکست بالا و محیط نمونه که در آب غوطه ور است می باشد) در حالتی که میان باریکه ی نور تابشی و مدهای تشدیدی لایه ضریب شکست بالا، تطابق فازی به وجود آید، پدیده ی تشدید اتفاق می افتد. در نتیجه یک میدان میرای رزونانسی در مرزهای فیلم نمونه تولید شده و بر آن فشار واردمی کند. که این فشار وارد شده در حدود ده برابر بیشتر از سیستم اول می باشد.
منابع مشابه
مطالعه خواص نوری یک نانو ذره پلاسمونیک روی یک لایه دی الکتریک
با مطالعه قطبش پذیری یک نانو ذره ی فلزی کروی برروی یک لایه ی دی الکتریک، خواص نوری سیستم بررسی می شود. از آنجا که اندازه نانوذره خیلی کوچکتر از طول موج نور فرودی است، با حل معادله لاپلاس، پتانسیل الکتریکی در نواحی مختلف برحسب چندقطبیها بسط داده می شود. با استفاده از تانسور قطبش پذیری، عباراتی برای قطبشپذیری های موازی و عمود بدست آمده و سپس نتایج عددی مورد بحث قرار می گیرند. علاوه بر اثر انداز...
متن کاملفشار میدان میرای موجبر روی یک فیلم نازک دی الکتریک
نورحامل تکانه است و هرگونه تغییر در جهت آن به وسیله سایر اجسام باعث ایجاد نیروی اپتیکی بر آنها خواهد شد. نیروی اپتیکی میدان میرا، برای به دام انداختن پروتئین ها و مولکول های واحد مفید است، و کاربردهای بالقوه ای در دستکاری ذرات مسطح گونه نزدیک سطوح دی الکتریک دارد.نیروی اپتیکی میدان میرای ناشی از بازتابش داخلی کلی پرتوی گاوسی در سطح مشترک منشور و فیلم بر روی کره های دی الکتریک توسط گروه های ...
15 صفحه اولتاثیر قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی الکتریک بر روی عملکرد یک میکروهیتر
با توسعه ریزفناوری میکروماشینکاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کردهاند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دیالکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...
متن کاملکاربرد مدل آشفتگی در بررسی جریان آشفته خنک کاری لایهای روی یک سطح تخت
در این تحقیق، مسئله خنک کاری لایهای از طریق یک ردیف جت دارای مقطع مربعی که به صورت عمود وارد جریان عرضی می شوند، مورد مطالعه قرار گرفته است. برای شبیهسازی اثرات آشفتگی جریان از رهیافت میانگینگیری رینولدز معادلات ناویر-استوکس و مدل آشفتگی نسبتاً جدید به همراه مدلهای دو معادلهای رایجی مثل κ-ω استاندارد و SST استفاده شده و نتایج حاصل با یکدیگر مقایسه شده است. معادلات حاکم شامل معادلات بقا...
متن کاملمطالعۀ وابستگی دمایی بلور فوتونی سه گانه دی الکتریک- بلورمایع- دی الکتریک در یک بعد با ضخامت های مختلف
در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع و به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...
متن کاملبررسی خواص اکسیدهای عناصر کمیاب خاکی به عنوان گیت دی الکتریک
نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورکهای به دست آمده با تکنیکهای پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازهگیری ثابت دی...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023