شبیه سازی عددی جریان سیال بیومغناطیس در یک کانال سه بعدی با حضور موانع تحت تاثیر میدان مغناطیسی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی مکانیک
- نویسنده مرتضی موسوی
- استاد راهنما کورش صدیقی موسی فرهادی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
در این مطالعه تاثیر میدان مغناطیسی ناشی از سیم حامل جریان الکتریسیته بر جریان سیال بیومغناطیس در یک کانال بصورت سه بعدی مورد بررسی قرار گرفته شده است. در این شبیه سازی از نرم افزار انسیس فلوئنت با اضافه کردن زیربرنامه مناسب به آن استفاده شده است. نتایج نشان می دهد، در حضور این میدان مغناطیسی، انتخاب شبکه ی محاسباتی مناسب، بسیار با اهمیت است. در این مطالعه، چگونگی انتخاب یک شبکه ی محاسباتی مناسب بیان شده است و شبکه ی مناسبی که نیروی مغناطیسی را بصورت تقریبا دقیقی پوشش می دهد انتخاب گردیده است. تاثیر جداگانه ی نیروی لورنتس و نیروی برآمده از مغناطیس پذیری این میدان مغناطیسی بر جریان سیال در محدوده ای از اعداد مغناطیسی (mn) و استوارت (n) که مطابق با خواص سیال می باشد ( تا 0.06065=n) بررسی شده است. نتایج نشان می دهد نیروی لورنتس تاثیر قابل ملاحظه ای بر جریان سیال نداشته و جریان سیال تحت تاثیر نیروی مغناطیسی برآمده از مغناطیس پذیری قرار می گیرد. وجود این میدان مغناطیسی سبب ایجاد جریان ثانویه می گردد که این جریان، تغییر قابل ملاحظه ای روی توزیع سرعت می گذارد. نتایج نشان می دهد که وجود جریان های ثانویه موجب افزایش تنش های برشی غیر محوری بر روی دیواره های کانال می گردد. همچنین این بررسی نشان می دهد که اعمال این میدان مغناطیسی، می تواند موجب کنترل ناحیه های چرخشی شود. در صورت وجود موانع در کانال، اعمال میدان مغناطیسی، نیروی درگ اعمالی بر موانع را افزایش می دهد.
منابع مشابه
شبیه سازی عددی انتقال گرمای همرفتی آزاد نانو سیال تحت میدان مغناطیسی در داخل محفظه موجدار
در این مقاله، مدل عددی انتقال گرمای همرفتی آزاد همراه با اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در حالت جریان لایه ای پایا، در یک محفظه موجدار که با استفاده از نانو سیال اکسید مس پر شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. دیوارهای راست و چپ محفظه عایق در نظر گرفته شده اند، در حالی که دیوارهای بالایی و پایینی موجدار همدما می باشند. معادلات حاکم بر مسئله به صورت تابع جریان- فرمول گردابه مورد بررسی قرار گرفته و ...
متن کاملشبیه سازی عددی الگوی جریان سه بعدی در تلاقی کانال های باز
در این تحقیق الگوی جریان در تلاقی 90 درجه دو کانال مستطیلی، به صورت سه بعدی و با استفاده از Fluent 6.3 مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور شبیه سازی جریان آشفته از مدل آشفتگی تنش رینولدز استفاده و جریان به صورت ماندگار تحلیل شده است. برای صحت سنجی نتایج حاصله، از نتایج آزمایشگاهی شیومیت استفاده گردیده است. مقایسه نتایج حاصل از مدل عددی با داده های آزمایشگاهی نشان می دهد که مدل مزبور الگوی کل...
متن کاملشبیه سازی عددی و ارائه روش حل برای جریان سیال غیر نیوتنی تحت تاثیر میدان مغناطیسی در لایه مرزی یک صفحه کشسان
جریان آرام تراکم ناپذیر سیال غیر نیوتنی روی یک صفحه کشسان متحرک، در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مطالعه شده است. سرعت صفحه مشخص و در طول آن به صورت خطی تغییر میکند. به کمک تبدیلات تشابهی، دستگاه معادلات پارهای حاکم بر جریان به یک دستگاه معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل و سپس توسط روش عددی ارئه شده بر مبنای تفاضل محدود ، حل گردیده است. اثرات پارامترهای سیال، جریان و میدان مغناطیسی بر...
متن کاملشبیهسازی عددی و بهینه سازی انتقال حرارت نانوساختار مغناطیسی در یک کانال در حضور یک میدان مغناطیسی غیریکنواخت
در مقاله حاضر، تأثیر یک منبع میدان خارجی غیریکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مگنتیت (فروسیال) داخل کانالی با سطح گرم، بهصورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. هدف اصلی تأکید بر اهمیت موقعیت میدان مغناطیسی و بررسی احتمال افزایش انتقال حرارت از طریق یافتن مکان بهینه منبع میدان مغناطیسی است. مشاهده شد که میدان مغناطیسی گردابههایی ایجاد کرده و بر ضخامت لایه مرزی حرارتی و تغییرات عدد...
متن کاملارزیابی دقت مدل سه بعدی SSIIM2 در شبیه سازی میدان جریان در کانال قوسی U شکل با آبگیر جانبی
هدف از این پژوهش بررسی قابلیت مدل عددی SSIIM2 در شبیه سازی الگوی جریان در اطراف دهانهی آبگیر، در یک کانال خمیده میباشد زیرا جریان در کانال خمیده کاملا سه بعدی و پیچیده می باشد. مدل های فیزیکی به دلیل پیچیدگی جریان قادر به ارایه درک روشنی از فیزیک حاکم بر این پدیدهها نمیباشند. بنابراین برای داشتن درک روشنی از پدیده لازم است در کنار مطالعات صحرایی و آزمایشگاهی، این پدیدهها به صورت عددی نیز ب...
متن کاملکاربرد روش شبکه بولتزمن برای شبیه سازی جریان گازی در یک میکروکانال تحت تاثیر میدان مغناطیسی.
چکیده در کار حاضر جریان گازی با نادسن خروجی 0.2 تحت تاثیر میدان مغناطیسی در یک میکروکانال که با گرادیان فشار تحریک شده مورد مطالعه قرار می گیرد. اثر تغییرات پارامترهای میدان مغناطیسی شامل قدرت و طول با اعمال سرعت لغزشی در دیواره های میکروکانال به صورت عددی شبیه سازی شده است. مدل هندسی جریان، یک مجرای مسطح دو بعدی با عرض ثابت در طول میکروکانال بوده و جریان مورد نظر پایدار و آرام فرض شده است. معا...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی مکانیک
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023