مطالعه نظری خواص الکترونی و مغناطیسی کادمیم تلوراید آلاییده با عناصر واسطه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک
- نویسنده سمیه نیکزاد
- استاد راهنما مرتضی ایزدی فرد
- سال انتشار 1392
چکیده
نظریه تابعی چگالی یکی از روش های مهم برای مطالعه و بررسی سیستم های بس ذره ای است. در این سیستم ها وجود تعداد زیاد ذرات مانع رسیدن به جواب دقیق برای حل معادله شرودینگر سیستم به منظور بدست آوردن ویژه تابع و ویژه مقدار حالت پایه است و به ناچار از تقریب هایی نظیر شیب تعمیم یافته و چگالی موضعی استفاده می شود. در این پایان نامه خواص الکترونی و مغناطیسی کادمیم تلوراید آلایش یافته با عناصر واسطه کروم، منگنز، آهن و کبالت با غلظت های 25/6، 5/12 و 25 درصد با تقریب gga در فاز پایدارشان را بررسی و با بهینه سازی حجم، انرژی تعادلی و مدول حجمی را یافتیم. مقایسه انرژی تعادلی محاسبه شده برای ترکیبات نشان داد که فاز پایدار تمام ترکیبات به جز ترکیبات حاصل شده از آلایش کادمیم تلوراید با منگنز فرومغناطیس می باشد. این بررسی نشان داد که فاز پایدار نمونه آلاییده با منگنز آنتی فرومغناطیس است. بررسی نتایج محاسبات انجام شده نشان داد که کادمیم تلوراید آلاییده با کروم خواص نیم فلزی، آلاییده با منگنز در فاز فرومغناطیس خواص نیم فلزی و در فاز آنتی فرومغناطیس خواص فلزی، آلاییده با آهن وکبالت خواص نیم فلزی دارد. مقایسه مقادیر گاف های انرژی محاسبه شده نشان داد که ترکیب cd0.75cr0.25te در بین ترکیبات بررسی شده دارای بیشترین گاف انرژی است. محاسبه چگالی حالت ها وجود هیبریداسیون اوربیتال d عناصر واسطه با اوربیتال p اتم های آنیون (تلوراید) را نشان داد. همچنین محاسبه گشتاور مغناطیسی کل نمونه ها نشان داد که سهم عمده در ایجاد این گشتاور مربوط به عناصر واسطه است که به علت هیبریداسیون p- d بین اوربیتال های te-p و d عناصر واسطه ایجاد می شود.
منابع مشابه
مطالعه تئوری خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی زینک تلوراید آلاییده با یون های مغناطیسی
نظریه تابعی چگالی یکی از روشهای مطالعه دستگاه های بس ذره ای می باشد. مهمترین تقریبهایی که در نظریه تابعی چگالی مورد استفاده قرار می گیرند، تقریب چگالی موضعی(lda) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) می باشند. این تقریب ها درگستره وسیعی از مسائل جواب های قابل قبولی ارائه داده اند. در فصل اول این پایان نامه ابتدا به معرفی ترکیبات نیمرسانای گروه ii-vi و همچنین به نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده بر پایه ا...
بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله های گالیوم آرسناید آلاییده با عناصر واسطه توسط رهیافت نظریه تابعی چگالی
طیف وسیعی از مواد نیمرسانا با آلایش عناصر واسطه (اتمهای مغناطیسی) وجود دارند، که این مواد را عموماً بعنوان نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده dms می شناسند. از سوی دیگر dms های حاصل از ترکیبات نیمرسانای گروه iii-v، بعلت امکان کاربرد آنها در اسپینترونیک، توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته ...
بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله های گالیوم نیتراید آلاییده با عناصر واسطه توسط رهیافت نظریه تابعی چگالی
نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...
خواص مغناطیسی و ساختاری ابررسانای 2223- Bi آلاییده با کادمیوم
In this paper, Bi1.64-xPb0.36CdxSr2Ca2Cu3Oy (BPCSCCO) superconductor with x = 0.0, 0.02, 0.04 and 0.06 is made by the solid state reaction method. The magnetic susceptibility measurements were performed using AC susceptometer. The microstructure and morphology of the samples have been studied by X-ray diffraction, scanning electron microscope and energy dispersive X-ray. The results show that t...
متن کاملمطالعه تئوری خواص الکترونی و مغناطیسی اکسید قلع (sno2) آلایش یافته با عناصر واسطه
نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...
خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایشیافته با عناصر واسطه
of 3d transition metals (Sc, Ti, Cr, Mn , Fe, Co, Ni) in both far and close situations were studied based on spin polarised density functional theory using the generalized gradient approximation (LDA) with SIESTA code. The electronic structures show that zigzag (0,9) GaAs nanotubes are non-magnetic semiconductors with direct band gap. It was revealed that doping of 11.11 % Fe and Mn concentrati...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023