ساخت لایه نازک آلومینیوم نیترید ain به روش hvpe و مشخصه یابی آن

پایان نامه
چکیده

نیترید های سه ظرفیتی با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته اند. از میان آنها gan مهمترین و پرکاربرد ترین نیترید سه ظرفیتی است و aln،inn وscn از دیگر اعضای مهم این خانواده هستند.در این پایان نامه تلاش شده است لایه نازک aln به روش رشد روآراستی فاز بخار هیدرید (hvpe) ساخته شود. hvpe روشی مفید برای ساخت نیتریدهای سه ظرفیتی از جمله gan، inn و aln است. فرم تغییر یافته ای از روش hvpe، جهت رشد لایه نازک aln در این تحقیق به کار برده شد. آلومینیوم تری کلراید و آمونیاک مواد لازم برای تولید aln هستند. آلومینیوم تری کلراید با واکنش مستقیم گاز کلر و فلز آلومینیوم در ناحیه چشمه در دمای 500 درجه سانتیگراد تولید می شود. گاز آلومینیوم تری کلراید تولید شده به ناحیه ترکیب منتقل می شود و در آنجا با آمونیاک واکنش می دهد تا aln تشکیل شود. بستر ها در ناحیه ترکیب قرار می گیرند. و در صورتی که شرایط رشد مناسب باشد، لایه نازک aln روی بستر رشد می یابد. لایه نشانی در محیط گاز نیتروژن در فشار محیط و دمای 1100 درجه سانتیگراد انجام می شود.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مشخصه یابی خواص لایه نازک الکترواپتیکی ZnO:Alساخته شده به روش ترکیبی کندوپاش پلاسمایی ساده و اکسیداسیون حرارتی

علاقه به تحقیق و پژوهش در زمینه پلاسماهای غباری که رشته جدیدی در فیزیک پلاسما می‌باشد با توسعه صنعت میکروالکترونیک رشد چشمگیری داشته است. ذرات غبار که تا کنون به عنوان آلودگی در نظر گرفته می‌شدند، امروزه در فنآوری های لایه گذاری برای صنایع میکروالکترونیک، اپتیک، الکترواپتیک استفاده می‌شوند. در اینجا ما روی پوشش با ذرات غبار از طریق ایجاد لایه نازک ZnO:Al کار می‌کنیم. ذرات غبار Zn وAl  می‌باشند....

متن کامل

مطالعه فازی پوشش نانوساختار چند لایه نیترید کروم آلومینیوم تولیدشده به روش رسوب فیزیکی بخار

در پژوهش حاضر، پوشش­های نانوساختار نیترید کروم- آلومینیوم تولید شده به روش رسوب فیزیکی بخار قوس کاتدی در مقیاس صنعتی مورد ارزیابی ساختاری و فازشناسی قرارگرفت. ریزساختار توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی و آنالیز پوشش­ها با استفاده از میکروآنالیز طیف سنجی تفکیک انرژی و آزمون­های پراش پرتو ایکس مطالعه گردید. بافت کریستالوگرافی پوشش­ها با محاسبه ضریب بافت از روی الگوهای پراش محاسبه شد و باف...

متن کامل

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک نیمه رسانای sno2:co به روش تبخیر پرتو الکترونی

چکیده ندارد.

15 صفحه اول

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک zno به روش اسپری پایرولیزیز

در این تحقیق نانو لایه های اکسید روی به روش اسپری پایرولیزیز به روی زیرلایه های شیشه ای و سیلیکونی نشانده شد. خواص ساختاری و اپتیکی نانو ساختار های اکسید روی مورد بررسی قرار گرفت. ساختار بلوری لایه های نازک به روش اشعه ایکس مورد بررسی قرار گرفت که وجود یک ساختار بلوری ورتسیت هگزاگونال مشاهده شد. صفحات ترجیحی رشد برای نمونه ها صفحه (002) می باشد. بر ای تعیین ضخامت لایه از بیضی سنجی ا...

ساخت و مشخصه یابی اپتیکی و لومینسانس لایه های نازک sno2 به روش تبخیر گرمایی

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک سولفیدروی به روش اسپری گرمایی

لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کنترل شدت لایه نشانی و تهیه لایه های یکنواخت و قابلیت لایه نشانی بر روی سطوح بزرگ، روشی کارآمد می باشد. در این تحقیق،...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023