بررسی اثر گروه فنیل روی خواص الکترونی وترابرد مولکول تتراسین

در این پژوهش با روش نظری و با استفاده از کد محاسباتی سیستا (siesta) که بر اساس نظریه تابعی چگالی (dft) می باشد و در چارچوب تقریب های تبادلی- همبستگی lda و gga، خواص الکترونی مولکول خالص تتراسین(n=4) و نیز با قرار دادن یک، دو و چهار حلقه فنیل بر روی جایگاه های متفاوت مولکول، محاسبه و با یکدیگر مقایسه شد. نتایج نشان می دهد که اندازه گاف homo-lumo و انرژی حالت پایه برای مولکول تتراسین، به ترتیب 72/1 و 47/2972- الکترون ولت می باشد و هر قدر تعداد حلقه های فنیل بر روی مولکول تتراسین بیشتر باشد، گاف homo-lumo کوچک تر و پایداری مولکول به طور محسوسی افزوده می شود و با دور کردن حلقه های فنیل از مرکز مولکول تتراسین گاف بزرگ تر می شود ولی پایداری تغییر محسوسی نمی کند. سپس با استفاده از کد محاسباتی اسمیگل (smeagol) که بر پایه نظریه تابع گرین غیر تعادلی(negf) می باشد، ضریب ترابرد برای بازه ولتاژ بین صفر تا 7/2 ولت، مشخصه جریان- ولتاژ و در نهایت رسانندگی برای مولکول خالص تتراسین و مولکول روبرین محاسبه و مقایسه شد. از مقایسه ضریب ترابرد و مشخصه جریان ولتاژ مولکول تتراسین و روبرین نتیجه گرفته می شود که برای هر دو مولکول روند تغییر جریان تا حدود ولتاژ 1/2 ولت مشابه است. در ولتاژهای بیشتر از 1/2 تا 7/2، به علت حضور قله های مربوط به حلقه های فنیل در روبرین، جریان در روبرین نسبت به تتراسین، سبقت می گیرد. در ادامه پژوهش، رسانندگی دو مولکول نیز محاسبه و مقایسه شد، که نتایج قبل را تائید نمود.