طراحی ساختارهای تست فرایند ساخت یک ترانزیستور توان و فرکانس بالا

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این مشخصه ها در صورت تکرار ساخت و در نتیجه، افزایش بازدهی و کاهش هزینه ی ساخت ترانزیستور است. ساختار و جانمایی تست های فرایند ساخت برای انواع مختلف ترانزیستور متفاوت است، که علت آن تفاوت در ساختار و ابعاد ترانزیستورها است. به‎عنوان مثال، ساختار و جانمایی تست یک ماسفت معمولی با ساختارهای تست یک ماسفت توان و فرکانس بالا متفاوت است. بنابراین هر ترانزیستور خاص، برای تست نیاز به ارائه ی ساختار و طراحی جانمایی تست مخصوص خود بر اساس ابعاد و ساختار آن ترانزیستور دارد. ترانزیستورهای ماسفت توان و فرکانس بالا امروزه یکی از بهترین فناوری تجاری و رقیب سرسختی برای فناوری های دیگر به‎خصوص فناوری ترانزیستورهای gan hemt در زمینه ی کاربردهای تقویت کنندگی توان و فرکانس بالا می باشند. همین امر و اهمیت انجام تست فرایند ساخت به‎عنوان مرحله ی مهمی از ساخت ترانزیستور باعث شد تا این پژوهش بر روی طراحی ساختارهای تست و نیز جانمایی آن ها برای ترانزیستور vdmos متمرکز شود. تست های مهم فرایند ساخت و چگونگی مشخصه یابی معرفی شده است. سپس تست های فرایند ساخت و نیز ساختارهای تست، جهت استخراج مشخصه های مهم فرایند ساخت برای یک ترانزیستور vdmos فرکانس رادیویی با مشخصات 28 v، کانال n، توان بیشینه ی 15 w و فرکانس کاری 400 mhz طراحی و ارائه شده است. جانمایی تست ها، با توجه به ابعاد ترانزیستورِ ساخته شده، و هم‎چنین به کمک ساختار داخلی ترانزیستور که از مدل شبیه سازی شده به‎دست آمده، طراحی شده است. با استفاده از مدل شبیه سازی دوبعدی میزان دوپینگ، عمق اتصالات p-n و دیگر ابعاد داخلی که مورد نیاز برای طراحی ساختارهای تست فوق است بدست آمد.