اتصال پایه گرافن فرو مغناطیس/عایق/ابررسانا با گاف انرژی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه
- نویسنده بهزاد قلی زاده وکیل کندی
- استاد راهنما هادی گودرزی
- سال انتشار 1392
چکیده
ساز و کار ابررسانایی به دنبال انتشار نظریه باردین- کوپر- شریفر در این زمینه آشکار شد که به نظریه معروف است. ساخت اخیر گرافن، تک لایه ای از گرافیت توجه زیادی به خود جلب کرده و منجر به مطالعه خواص الکترونی آن شده است. از جمله اثرات قابل توجه میتوان به اثر هال کوانتومی، تونل زنی کلین، بازتاب خاص آندریف در گرافن اشاره کرد. به عبارت دیگر گرافن یک شبه هادی با گاف انرژی صفر است. عایق های توپولوژیکی، یک حالت جدید از ماده، اخیرا کشف شده اند. به دلیل خواص اساسی مهم شان عایق های توپولوژیکی توجه زیادی به خود جلب کرده اند و ظرفیت بیشتری برای کاربرد در آینده از خود نشان داده اند. این حالت جدید بنا به خاصیت تقارن معکوس زمانی حفظ شده و جفت شدگی اسپین- مدار است. مطالعات زیادی برای بررسی اثر جوزفسون در گرافن انجام گرفته که نهایتا سعی شده که این موضوع نیز تا حدودی مورد بررسی قرار بگیرد. در این رساله، به مطالعه اثر جوزفسون در ساختار های با پایه ی گرافن و عایق توپولوژیکی می پردازیم.
منابع مشابه
تأثیر نوع نانو نوار زیگزاگ و دسته صندلی گرافن بر ضریب عبور و گاف انرژی
در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتمهای دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام میشود. بررسی منحنیهای رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...
متن کاملاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...
متن کاملبهبود عملکرد ابزارهای الکترونیکی بر پایه پلی تیوفین به روش مهندسی گاف انرژی در حضور گرافین.
نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذرهای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلیتیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهندهی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح میباشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشاندهندهی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...
متن کاملنانوساختارهای بینظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...
متن کاملبررسی اثرات پتانسیلهای ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی
We investigate the effect of dipole-dipole and quadrapole- quadrapole interaction of a weakly interacting Bose gas near the transition temperature on the energy spectra of the thermal and condensate parts. We use the two fluid model and mean field approximation. We show that the effects of the condensate part on the shift of energy is greater than the case of contact potential
متن کاملنانوکامپوزیت های پلیمری بر پایه گرافن
در این مقاله، روش های تولید و کاربرد نانوکامپوزیت های پلیمری تقویت شده با نانوذرات گرافنمرور می شود. این نانوذره به شدت مورد توجه پژوهشگران و صنعتگران قرار گرفته است. زیراگرافن، نانوذر های با ساختار دوبعدی از اتم های کربن است که دارای خواص گرمایی، الکتریکی ومکانیکی ب ینظیری است. استفاده از آن به عنوان پرکننده در مقادیر بسیار کم، سبب تقویت قابلملاحظه خواص نانوکامپوزیت م یشود. روش های مختلفی برای...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023