تونل زنی کلین در ساختار فرومغناطیس-گرافن

تونل زنی کلین فرمیون های جرم دار در گرافن دارای گاف انرژی

برای کاربردهای نانوالکترونیک، ماده گرافن به یک گاف انرژی در طیف انرژی خود نیاز دارد (همانند نیمه رساناهای متداوال). در این رساله با استفاده از معادله دیراک دوبعدی برای ذرات جرم دار، در گرافن دارای گاف انرژی حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی فرمیون های دیراک جرم دار از یک سد پتانسیل در یک نانوترانزیستور گرافنی درنظر n-p-n دوبعدی بدست آوردیم، که این ساختار می تواند بصورت یک پیوند گر...

مطالعه همزیستی بین ابررسانایی و فرومغناطیس در ابررساناهای فرومغناطیس

در این مقاله، همزیستی میان ابررسانایی و فرومغناطیس را در یک ابررسانای فرومغناطیس مورد مطالعه قرار می‌دهیم. ابررسانای فرومغناطیس را در دو حالت جفتی اسپین پادموازی و اسپین موازی در نظر می‌گیریم و با استفاده از معادلات وابسته به اسپین بوگولیوبوف-دژن، تابعیت دمایی (T) پارامتر نظم ابررسانایی را به­دست می‌آوریم. همچنین وابستگی پارامتر نظم به میدان تبادلی ابررسانای فرومغناطیس (h) را نیز به­دست آورده و...

پارادوکس کلین در سدهای چندگانه ی ناهمگن گرافن

در این پایان نامه، خواص فیزیکی و نوارهای انرژی ویژه ی گرافن توضیح داده شده و در ادامه پارادوکس کلین در گرافن، با استفاده از معادله ی دیراک را مطالعه کرده ایم. مجموعه ای از تعدادی سد الکترواستاتیکی، در دوحالت همگن و ناهمگن مشتمل بر دو شکل از پتانسیل افزایشی خطی و گاوسی که ارتفاع سدها و عرض چاه ها ثابت است را در نظر می گیریم. با استفاده از روش ماتریس انتقال، احتمال عبور و رسانندگی تمام حالت ها بص...

روشهای تونل زنی در آستانه یک دگرگونی بزرگ

تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی در ناحیه درین: شبیه‌سازی عددی کوانتومی

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...