بررسی رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی pbs بر روی الکترود شیشه

امروزه سنتز نیمه رسانا ها از اهمیت ویژه ای برخوردار است زیرا آنها یکی از اجزای اساسی سلولهای خورشیدی محسوب می شوند. از طرفی به منظور بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آنها می بایست صفحه رسانای مناسب مانند شیشه هادی استفاده شود تا نسبت به عبور نور و جریان رسانا باشند.به همین خاطر فن آوری استفاده از سل های خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدید پذیر وپاک مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است ورفته رفته در صنایع و زندگی روزمره جوامع بشری راه خود را باز می کند. در این پروژه از نیمه رسانای سولفید سرب به علت ویژگی های منحصر به فرد آن مانند گاف انرژی (باند گپ) باریک و مستقیم (ev 41/0 دردمای اتاق)، ساختار مکعبی سنگ نمک آن و شعاع برانگیختگی بزرگتر از بورنسبت به سایر کالکوژناید ها nm) 18 (، استفاده شده است. به منظور بررسی بهتر رفتار فتوالکتروشیمییایی سولفید سرب از الکترود شیشه استفاده شده است زیرا توسط آن می توان خاصیت رسانایی الکتریکی سولفید سرب رادقیق تر مشاهده کرد. همچنین در این پروژه رفتار نیمه رسانایی سولفید سرب با استفاده از تکنیک های گوناگون الکتروشیمیایی از جمله کرنوآمپرومتری، ولتاموگرام چرخه ای وامپدانس در محلول سود مورد مطالعه قرار گرفت ودر نهایت اتصال فلز-نیمه رسانا نیز مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصل ازکرنوآمپرومتری رفتار نوع n را برای نیمه هادی سولفید سرب نشان می دهد همچنین مقادیر?b برای الکترودهای 20/20 و20/40 مقادیر 0.75 و 0.61 الکترون ولت تحت تابش بدست آمده است. کلید واژه: سل خورشیدی، باند گپ، سولفید سرب و امپدانس