مطالعه نانو نیمه هادی ها با استفاده از روش های محاسباتی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده شیمی
- نویسنده فرزاد مولانی
- استاد راهنما سیف اله جلیلی
- سال انتشار 1392
چکیده
نانوساختارهای بور، cnhn، bc2n و cxny به عنوان ساختارهای نیمه هادی برخلاف نانو لوله های کربنی به صورت کامل مورد مطالعه ساختاری و الکترونی قرار نگرفته اند. برای این نانو لوله ها اطلاعات نسبتاً کمی در دسترس است. هدف از این رساله استفاده از نظریه تابعی چگالی اسپین قطبیده به منظور بدست آوردن ویژگی های الکترونی و ساختاری نانوساختارهای ذکر شده است. در بخش اول پروژه، جذب گازهای مختلف بر روی نانو لوله بور مطالعه شد. مشخص شد که اکسیژن تأثیر شگرفی بر روی خواص الکترونی این نانو لوله دارد. در ادامه صفحه cnhn که گرافَن نامیده می شود مورد مطالعه ساختاری و الکترونی قرار گرفت. مطالعه اثرات جایگزینی و نقص در این ساختار نشان داد که ناخالصی بور و نیتروژن به ترتیب نیمه هادی نوع p و n ایجاد می کنند. به علاوه، نقص استون والز و تهیجا بر روی ساختار الکترونی باعث ایجاد نیمه هادی نوع n می-شود. در بخش سوم، نانو لوله bc2n را مطالعه کردیم. بعد از پیدا کردن پایدارترین چینش برای این استوکیومتری، اتم تیتانیوم را در جایگاه های مختلف بر روی نانو لوله جذب کردیم. مشخص شد که بهترین جایگاه برای جذب اتم تیتانیوم در وسط حلقه ای است که از شش اتم کربن تشکیل شده باشد. در مرحله بعد، ترکیب تیتانیوم و نانو لوله به عنوان ذخیره کننده گاز هیدروژن مورد مطالعه قرار گرفت. این کمپلکس توانایی جذب 8% وزنی گاز هیدروژن را دارد. در بخش آخر، نانو لوله های cxny(x=3, n=1,4) مطالعه شد. اثرات نقص و ناخالصی بر روی خواص الکترونی و ساختاری این نانو لوله ها بررسی شد. در نانو لوله c3n چهار نوع متفاوت با نقص استون والز برحسب خواص الکترونی و ساختاری پدیدار شد. چرخش پیوند جانبی n-c مطلوب ترین چرخش در این نقص است. نقش نقص تهیجا نیز بررسی شد. نتایج نشان داد که حذف اتم کربن از اتم نیتروژن پایدارتر است. در ادامه خواص الکترونی و ساختاری ساختار نقص دار نانو لوله g-c3n4 مطالعه شد. به هنگام حذف شدن اتم، بازسازی پیوند در محل نقص اتفاق می افتد. همچنین نقش چرخش پیوند c/n بر روی خواص ذکر شده مطالعه شد. نتایج مشخص ساخت که چرخش پیوندn1-c3 پایدارترین چرخش است.
منابع مشابه
نیمه هادی ها و ترانزیستور
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
متن کاملسنتز و مشخصه یابی نیمه هادی نانو ذرات سولفید سرب با روش اپتیکی
در این مقاله به سنتز و مشخصهیابی خصوصیات نانوساختاری یکی از نیمه هادیهای مهم حسگری که در موضوع آشکارسازی، تشخیص و شناسایی کارایی بالایی دارد، پرداخته شده است. در این تحقیق با استفاده از روش شیمیتر و بهکارگیری یک عامل مهارکننده )2- مرکاپتواتانول(، نانوذرات سولفید سرب سنتز گردید. بررسی خواصی از قبیل ساختار بلوری، اپتیکی، مورفولوژی (شکل) و اندازه نانو ذرات سولفید سرب توسط پراش اشعه X، اسپکتروس...
متن کاملتهیه و مطالعه نانو ذرات مس (II)اکسید دوپه شده با قلع به عنوان نیمه هادی
در این مطالعه اثر قلع دوپه شده بر روی ساختار و مشخصات نوری نانوذارت مس (2) که به روش هیدروترمال در شرایط ملایم بدون نیاز به تنظیم pH و سورفکتانت ارائه شده است. ساختار و خواص نوری نانوذرات مس اکسید و مس اکسید دوپه شده با قلع توسط فنون طیف سنجی پراش اشعه ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ، مادون قرمز(IR) و فوتولومینسانس (PL) مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. آنالیز اشعه ایکس نشان ده...
متن کاملتشخیص الگوهای غیرطبیعی در فرآیند ساخت قطعات نیمه هادی با استفاده از شبکه های عصبی
در فرآیندهای ساخت قطعات نیمه هادی اطلاع از وجود الگوهای غیرطبیعی بر روی نمودارهای کنترلی مربوط به فرایند و پیش بینی وقوع آنها امری مهم و شایان توجه است. در این نوشتار ، فرآیند ساخت گیت ترانزیستورهای MESFET در مدار مجتمع یک تقویت کننده مایکروویو GaAs به عنوان نمونه انتخاب شده است. سپس ضمن ارائه توضیحاتی پیرامون چگونگی بدست آوردن نمودارهای کنترلی و نیز نحوه استفاده از داده های مربوط به فرآیند، رو...
متن کاملنیمه هادی ها و ترانزیستور
در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .
متن کاملتحلیل دینامیکی تقویت کننده نوری نیمه هادی موج رونده با استفاده از روش ماتریسهای انتقالی
برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده شیمی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023