طراحی ماسفتsoi با کانال si/sige برای کاهش آثار کانال کوتاه
پایان نامه
- دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر
- نویسنده زهرا اربابی نژاد
- استاد راهنما سیّد ابراهیم حسینی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1391
چکیده
در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو برای کاهش ابعاد، مورد ملاحظه قرار داد. با این حال آثار کانال کوتاه به عنوان چالش قابل توجّهی برای جلوگیری از پیشرفت ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی سیلیکن بر روی عایق باقی مانده اند. بهبود عملکرد و کاهش اثرات کانال کوتاه به عنوان دو مسئله اساسی در توسعه ترانزیستورهای ماسفت سیلیکن بر روی عایق می باشند. زیرا کارایی زیاد و داشتن رفتاری شبیه به ترانزیستورهای با طول بلند نیاز اساسی برای ماسفت های با طول کوتاه سیلیکن بر روی عایق می باشد که با اعمال تنش به کانال این ساختارها می توان به مشخّصه های عملکرد بهتری دست یافت. مسئله ی موثّر در عملکرد ساختارهای تنشی میزان تنش اعمال شده می باشد که در یک ساختار ترانزیستور با کانال تنشی هرچه این تنش موثّرتر باشد بهبود موبیلیتی بیشتر خواهد بود. نحوه ی اعمال تنش در این پایان نامه با استفاده از یک لایه ی سیلیکن- ژرمانیوم زیرِ لایه ی سیلیکن کانال ترانزیستور می باشد که با تغییر درصد ژرمانیوم این زیرپایه، تنش حاصل در لایه ی سیلیکن بالایی متفاوت می باشد. آنچه این پایان نامه بر آن متمرکز شده بررسی تأثیرپذیری آثار کانال کوتاه شامل کاهش سد با ولتاژ درین و پاره ای از مشخّصه های دیگر ساختار تنشی در برابر ساختار بدون تنش، به نسبت ضخامت لایه ی سیلیکنی و زیرپایه ی سیلیکن- ژرمانیوم همزمان با تغییر دادن درصد ژرمانیوم زیرپایه می باشد. طبق بررسی-های صورت گرفته روند بهبودی در میزان کاهش سد با ولتاژ درین، شیب زیرآستانه، ولتاژ شکست و خصوصاً نسبت جریان روشن به خاموش مشاهده شد.
منابع مشابه
بهبود آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای نانو soi mosfet
با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...
محاسبهی پتانسیل سطحی و جریان زیرآستانه در ماسفتهای کانال کوتاه
با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کردهایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفتهای کانال mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان میدهد که این رفتار را میتوان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...
متن کاملطراحی و ارزیابی روش کدگذاری ترکیبی برای کانال پوششی زمانبندیدار در شبکه اینترنت
Covert channel means communicating information through covering of overt and authorized channel in a manner that existence of channel to be hidden. In network covert timing channels that use timing features of transmission packets to modulating covert information, the appropriate encoding schema is very important. In this paper, a hybrid encoding schema proposed through combining "the inter-pac...
متن کاملتأثیر تنگشدگی کانال و زاویه آبشکن در کاهش آبشستگی
آبشکنها سازههایی هستند که معمولاٌ در حفاظت دیواره خارجی قوسها و طرحهای اصلاح مسیر رودخانه، بهطور گسترده مورد استفاده قرار میگیرند. از جمله مسائل مهم در طراحی آبشکنها، پدیده آبشستگی موضعی دماغه آنها است که بهعلت تنگشدگی مقطع جریان و وجود گردابههای قوی بهوجود میآید. در این تحقیق بررسی آزمایشگاهی تاثیر طول و زاویه قرارگیری آبشکن فرعی در بالادست آبشکن اصلی، در کاهش فرسایش در دماغه ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023