مطالعه عددی لایه نشانی بخار شیمیایی کربید سیلیسیوم به کمک pecvd
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده مهندسی مکانیک
- نویسنده کامل میلانی شیروان
- استاد راهنما طاهره فنایی شیخ الاسلامی امین بهزادمهر حسین آتشی
- سال انتشار 1391
چکیده
در این شبیه سازی، محیط گازی را محیطی پیوسته و جریان گاز را جریانی آرام فرض کرده ایم. همچنین از اثرات تابش صرف نظر نموده و گازها را در محیط پلاسما ایده آل در نظر می گیریم. در نتیجه این شبیه سازی که با استفاده از نرم افزارفلوئنت انجام شده است، نرخ لایه نشانی کربید سیلیسیوم و همچنین پروفیل لایه نشانی محاسبه شده آن و نیز اثر پارامتر های مختلف موثر بر لایه نشانی شامل: نرخ ورودی گاز، دمای سطح زیر لایه، فشار رآکتور، نسبت های مختلف سیلان به پروپان بر روی زیر لایه، تاثیر فاصله الکترودها، تاثیر ورود متان نسبت به پروپان وجایگزینی هلیوم به جای هیدروژن بر لایه نشانی و نهایتاً تاثیر دو پارامتر نرخ ورود و دمای سطح زیر لایه بر لایه نشانی سیلیسیوم همراه کربید سیلیسیم مورد بحث و بررسی قرار گرفته است.
منابع مشابه
تولید نانولوله های کربنی به روش لایه نشانی بخار شیمیایی
کشف نانولوله های کربنی (cnts) جرقه امیدوار کننده ی بزرگی را در جهان علم به دلیل خواص قابل توجه فیزیکی ایجاد کرده است. نانولوله ها توسط چندین روش مانند تخلیه قوس الکتریکی، سایش لیزری و لایه نشانی بخار شیمیایی(cvd) تولید می شوند. دراین پروژه از روش cvd به دلیل سادگی و در دسترس پذیری آن برای تولید نانولوله های کربنی استفاده شده است. منبع کربنی در این تحقیق یک هیدروکربن متعارف گازی نیست، بلکه کافور...
بررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...
متن کاملرشد نانوسیم های اکسیدروی به روش لایه نشانی بخار شیمیایی و بررسی خواص و کاربردها
چکیده ندارد.
15 صفحه اوللایه نشانی نانومتری الماس (dlc) به روش بخار شیمیایی پلاسمایی با تکنیک فرکانس دوگانه
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
بررسی روش ساخت و کیفیت لایههای نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایهنشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین1 از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری کلرو سیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن آنها از روی کاتالیزور سرامیکی پلاتین ایریدیوم آلومینا در دمای 600 درجه سانتیگراد انجام شد. تغییرات سینتیک رشد لایه...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده مهندسی مکانیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023