بررسی ضرایب انتقال جرم نانوسیال اکسید تیتانیوم و اکسید آلومینیوم به روش الکتروشیمی در لوله مدور
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی شیمی
- نویسنده حسین بیکی
- استاد راهنما محسن نصر اصفهانی نسرین اعتصامی
- سال انتشار 1391
چکیده
چکیده در این پژوهش انتقال جرم نانوسیالات جاری درون لوله در دو رژیم آرام و درهم بصورت آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفته است. ضریب انتقال جرم نانوسیالات با استفاده از روش الکتروشیمی اندازه گیری شده است. در این پژوهش از دو نوع نانوذره ?-al2o3 با اندازه متوسط nm 40 و tio2 با اندازه nm 3-1 در تهیه نانوسیالات استفاده شده است. اثر نانوذرات ?-al2o3 و tio2 و دما بر ضریب نفوذ رنگ در نانوسیالات نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج آزمایش های ضریب انتقال جرم نشان داد که ضریب انتقال جرم در نانوسیالات با افزایش غلظت نانوذرات ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. به این ترتیب برای غلظت نانوذرات غلظت بهینه وجود دارد که در آن میزان انتقال جرم بیشینه است. بطور متوسط افزایش ضریب انتقال جرم در نانوسیالات ?-al2o3 و tio2 در رژیم جریان آرام بترتیب تقریباً برابر با %7/13 و %86/35 و در رژیم جریان درهم تقریبا برابر با %06/10 و %66/17 می باشد. اثر نانوذرات tio2 بر روی انتقال جرم نسبت به نانوذرات ?-al2o3 بهتر است و میزان افزایش در رژیم جریان آرام نسبت به درهم محسوستر است. در آزمایش های تعیین ضریب نفوذ روندی مشابه آزمایش های ضریب انتقال جرم مشاهده شد. بیشترین میزان افزایش در ضریب نفوذ رنگ در نانوسیالات ?-al2o3 و tio2 بترتیب 06/4 و 42/8 برابر می باشد.
منابع مشابه
بررسی ضریب انتقال جرم نانوسیال سیلیکا به روش الکتروشیمی در لوله مدور
در این پژوهش انتقال جرم در نانوسیال الکترولیتی درون لوله مدور مستقیم افقی در جریان آرام و درهم کاملاً توسعه یافته هیدرودینامیکی و در حال توسعه غلظتی به روش الکتروشیمیایی بررسی شده است. در این پژوهش از نانوذره اکسید سیلیکا با قطر متوسط 13-7 نانومتر برای ساخت نانوسیال استفاده شده است. محلول الکترولیت شامل فرو-فری سیانید و سدیم هیدرواکسید می باشد. از روش جریان حدی برای اندازه گیری ضریب انتقال جرم ن...
15 صفحه اولبررسی عددی تاثیر ته‌نشینی نانوذرات بر میدان‌های جریان، انتقال حرارت و انتقال جرم نانوسیال آب- اکسید آلومینیوم در یک محفظه
در این تحقیق میدان‌های جریان، انتقال حرارت و انتقال جرم نانوسیال آب-اکسیدآلومینیوم به‌عنوان مخلوطی دوجزئی در محفظه‌ای مربعی با لحاظ مکانیزم‌های حرکت براونی، ترموفرسیس و ته‌نشینی در بازه زمانی 30 روزه به صورت عددی بررسی شده است. دیواره سمت چپ محفظه گرم، دیواره سمت راست آن سرد و اختلاف دمای بین آنها 8کلوین می‌باشد. دیواره‌های افقی نیز عایق درنظرگرفته شده‌اند. برای لحاظ تغییرات کسر حجمی نانوذرات ...
متن کاملمقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
Recently, high – K materials such as Al2O3 and TiO2 films have been studied to replace ultra thin gate silicon dioxide film. In the present work, these films were grown on the top of Si(100) surface at different temperatures and under ultra high vacuum conditions. The obtained results showed that Al2O3 has a structure better than that of TiO2 and thus can be used as a good gate dielectric ...
متن کاملایجاد پوشش نانوکامپوزیتی نیکل/اکسید تیتانیوم/اکسید آلومینیوم به روش رسوب‌دهی الکتریکی
در این مطالعه، پوشش نانوکامپوزیتی نیکل – اکسید تیتانیوم – اکسید آلومینیوم به روش رسوب‌دهی الکتریکی از حمام وات در غلظت‌های مختلف ذرات اکسید، روی زیرلایه فولاد آلیاژی ایجاد شده است. افزایش ذرات تقویت‌کننده روی مورفولوژی سطح تاثیر گذاشت و سبب اصلاح دانه‌بندی ذرات پوشش شد. توزیع ذرات در پوشش روی خواص پوشش بررسی گردید. نتایج نشان داد با افزایش مقدار ذرات تقویت‌کننده در پوشش، میکروسختی افزایش می‌یاب...
متن کاملمطالعه تجربی انتقال حرارت و افت فشار نانوسیال آب- اکسید تیتانیوم
در این مقاله، انتقال حرارت و افت فشار نانوسیال آب- اکسید تیتانیوم در جریان مغشوش درون مبدل دو لوله‌ای هم مرکز به صورت تجربی بررسی شده است. نانوسیال با کسرهای حجمی 002/0، 01/0 و 02/0 تهیه شد و در اعداد رینولدز تقریبی 8000 تا 49000 مورد آزمایش قرار گرفت. برای این منظور یک مبدل دو لوله ای جریان مخالف طراحی و ساخته شده است. نتایج نشان داد که عدد ناسلت متوسط و افت فشار نانوسیال با افزایش کسر حجمی و ...
متن کاملمقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی شیمی
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023