افزایش بهره ولتاژ و پهنای باند تقوت کننده های توزیع شده در تکنولوژی 0.13µm cmos

تقویت کننده های توزیع شده دارای بهره مسطح و تطبیق امپدانس خوب ورودی و خروجی در یک پهنای باند فرکانسی وسیع هستند. این تقویت کننده ها توانایی انتقال داده را در طیف وسیعی از باند فرکانسی با میزان بالای اطلاعات را دارا می باشند. در این پایان نامه ابتدا یک تقویت کننده تفاضلی cmos توزیع شده که ترکیبی از توپولوژیهای cascode و cascade می باشد برای کاربردهای uwb در تکنولوژی 0.13µm cmos ارائه شده است. مدار از ساختار cascode برای رسیدن به پهنای باند بالا در حدود 3-11ghz و از ساختار cascade برای رسیدن به بهره بالاتر از تقویت کننده های تفاضلی توزیع شده معمولی در این باند فرکانسی، استفاده می کند. پس از آن جایگذاری سلف های تزویج با سلف های خط انتقال گیت نیز به منظور رسیدن به پهنای باند ماکزیمم صورت گرفته که منتج به پهنای باندی در حدود 47ghz شده است. همچنین یک ساختار جدید تشکیل شده از خازن و مقاومت منفی جهت افزایش بهره و پهنای باند تقویت کننده های توزیع شده ارائه گردیده است. ساختار ارائه شده در خط انتقال گیت تقویت کننده توزیع شده استفاده و مدار حاصل در نرم افزار advanced design system (ads) با استفاده از مدل 0.13µm cmos شبیه سازی گردیده است. خازن منفی در خط انتقال گیت اثرات خازن های پارازیتی سلول های بهره را کاهش داده، پهنای باند تقویت کننده را افزایش می دهد و در نتیجه موجب افزایش بهره ولتاژ مدار شده است. مقاومت منفی ایجاد شده تلفات خطوط انتقال را کاهش و پهنای باند را فزایش داده است.