ساخت نانوسیم های cuo و مطالعه اثر میدان الکتریکی بر جهتمندی آن ها

فناوری نانو شامل تصویرسازی، اندازه گیری، تولید و استفاده از اجسام در مقیاس های بین 1 تا 100 نانومتر می باشد. نانوسیم ها ساختارهای تک بعدی با قطری از مرتبه ی چند نانومتر و طول چند میکرون می باشند که نسبت سطح به حجم بالایی دارند و بنابراین خواص فیزیکی آن ها با سایر ساختارها متفاوت است. در این تحقیق، از روش اکسیداسیون مستقیم جهت تولید نانوسیم های اکسیدمس، استفاده شد. طی این روش نانوسیم ها پس از حرارت دهی زیر لایه ی مسی در اتمسفرهای هوا، اکسیژن و فشارهای جزئی اکسیژن، در دماهای حرارت دهی 400، 500 و 600 درجه سانتیگراد و زمان های حرارت دهی 1، 2، 3، 4 و 6 ساعت ساخته شدند. بررسی نانوسیم های حاصل نشان داد که، دما و زمان حرارت دهی نقش مهمی را در میزان تراکم، طول و قطر نانوسیم ها ایفاء می کند. به گونه ای که کمترین قطر مربوط به نانوسیمهای تولید شده در دمای 400 درجه سانتیگراد، بیشترین طول مربوط به دمای 600 درجه سانت یگراد و زمان 6 ساعت، بیشترین تراکم مربوط به دمای 500 درجه سانتیگراد و زمان 4 ساعت در اتمسفر هوا می باشد. در ادامه جهت مندی نانوسیم ها بر اثر اعمال میدان الکتریکی بررسی شد که تغییر خاصی در نحوه ی رشد آن ها حاصل نگردید. جهت مشاهده و تجزیه و تحلیل نمونه ها، از میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و دستگاه پراش اشعه ایکس (xrd) استفاده شد. در ادامه کارایی فوتوکاتالیستی نانوسیم های تولیدی در دماهای c° 400،c ° 500 و c° 600 در مدت زمان 4 ساعت در اتمسفر هوا، با استفاده از طیف سنج uv-vis اندازه گیری و توسط تجزیه ی فوتوکاتالیستی رنگ های قرمز کنگو، نارنجی متیل، رودامین بی و سبز برموکرزول تحت تابش نور فرابنفش با یکدیگر مقایسه گردید. نتایج بدست آمده حاکی از این است که نانوسیم های اکسیدمس تولید شده در دمای c ° 500 و زمان 4 ساعت، نسبت به دیگر نانوسیم ها در تجزیه همه ی رنگ ها بهترین کارایی را داشته اند.