طراحی بهینه سوئیچ های خازنی rfmems در باند k
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده مهندسی برق
- نویسنده محمد مجتبی شیخ الاسلامی
- استاد راهنما خلیل مافی نژاد
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1391
چکیده
امروزه ارتباطات بی سیم سبب پیشرفت غیرمنتظره و فوق سریع تکنولوژی rf-mems شده است، تکنولوژی ای که پتانسیل جایگزینی با تکنولوژی های نیمه هادی ، بی سیم و مکانیکی در سیستم-های مخابراتی آینده مثل مخابرات بی سیم را دارد. تکنولوژی rf-mems با ترکیب عملکرد rf عالی، هزینه و تلفات توان کم، اجازه کشف معماری و پیکربندی ای جدید که با تکنولوژی های مرسوم امکان پذیر نیست، را می دهد. در این پروژه انواع سوئیچ های rf-mems و چالش های روبه رو مورد بررسی قرار گرفته و سپس به طراحی وبهینه سازی سوئیچی با مشخصات rf عالی و پوشش باند فرکانسی مناسب در باند k برای کاربرد مخابرات ماهواره ای با استفاده از الگوریتم ژنتیک چند هدفه پرداخته شده است. ساختار این گزارش به گونه ای است که ابتدا به بررسی وتعریف، پارامترها ومشخصات سوئیچ های rf-mems جهت ارائه دید کلی و تعریف مفاهیم پرداخته شده است.سپس، مکانیزم های تحریک به همراه نمونه هایی از مقالات مرتبط با آن ها بیان شده است. و به بررسی مقالات اخیر ارائه شده در زمینه سوئیچ های خازنی rf-mems که سطح کاملی از مباحث مربوط به سوئیچ های خازنی را پوشش می دهند پرداخته شده است. بعد از آن. بهینه سازی سوئیچ با استفاده از الگوریتم ژنتیک چندهدفه انجام شده و نتایج بدست آمده از آن در نرم افزار hfss پیاده و شبیه سازی شده است و در فرایند تکمیلی این پروژه به نحوه ارتباط دهی نرم افزارmatlab با نرم افزار hfss پرداخته شده، تلاش زیادی جهت تحقق این ارتباط انجام شد، که خوشبختانه به نتیجه رسید وبا داشتن چنین ابزار کارآمدی می توان گفت تمام پیکربندی های مختلف سوئیچ ( و نیز سایر ادوات فرکانس بالا) به سادگی قابل پیاده سازی و بهینه سازی است.
منابع مشابه
طراحی، شبیهسازی و ساخت سوئیچ خازنی RF MEMSبر روی بستر آلومینا
In this paper, design, analysis and fabrication of a low loss capacitive RF MEMS shunt switch, which made on the coplanar waveguide transmission line and alumina substrate in the frequency band of 40-60 GHz, is presented. The CPW is designed to have 50Ω impedance matching on the alumina substrate. Then the desired switch is designed with appropriate dimensions. Afterward the important par...
متن کاملطراحی، شبیه سازی و ساخت سوئیچ خازنی rf memsبر روی بستر آلومینا
در این مقاله طراحی، شبیهسازی و ساخت یک سوئیچ خازنی rf mems موازی کم تلف بروی موجبر همصفحه و بستر عایق آلومینا، در باند فرکانس ghz 60-40 ارائه شده است. مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر همصفحه برای داشتن امپدانس مشخصه ω50 بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوئیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیهسازی المان محدود و موجی کامل با ن...
متن کاملکلیدزنی بهینه خازن های قابل سوئیچ در شبکه های توزیع با استفاده از الگوریتم ژنتیک
امروزه فشار روز افزون در جهت بهره برداری حداکثر از سیستم های انتقال موجود و توسعه انواع جدید جبران کننده های استاتیکی و قابل کنترل توان راکتیو، لزوم استفاده از خازن های موازی در سیستم توزیع را بیش از پیش آشکار ساخته است. از آنجا که بارهای یک شبکه توزیع به طور دائم مشغول به کار نبوده و در طول ساعات شبانه روز تغییر می کنند، جهت جلوگیری از افزایش ولتاژ شبکه ناشی از وجود خازن ها، می بایست کلید زن...
متن کاملتعیین مکان بانک های خازنی سوئیچ شونده در سیستم توزیع
امروزه بانک های خازنی به طور گسترده در سیستم های توزیع استفاده می شود. از جمله مشکلات مربوط به کلید زنی خازنی می توان به هارمونیک رزونانس، اضافه ولتاژ گذرا و تریپ درایوهای سرعت اشاره کرد. با پیشرفت صنعت و به کارگیری تجهیزات الکترونیک، بارهای مصرف کننده حساس تر شدند و تحت تاثیر اغتشاش ناشی از کلید زنی خازنی قرار می گیرند. از این رو باید اغتشاشات ناشی از کلید زنی بانک های خازنی که از مهم ترین اغت...
طراحی مدارهای سوئیچ شونده خازنی در ابعاد نانومتری در تکنولوژی cmos مبتنی بر ساختار cbsc
در ساختار مدار¬های cbsc مقایسه کننده و منبع جریان جایگزین تقویت کننده¬ی عملیاتی شده و احتیاج به تقویت کننده¬ی عملیاتی با بهره بالا از مسیر سیگنال حذف می¬شود. به منظور بهبود موازنه¬ی بین سرعت و دقت در مدار¬های cbsc، از منبع جریان کنترل شونده با ولتاژ به¬جای منبع جریان ثابت استفاده می¬شود. برای افزایش هر چه بیشتر سرعت در مدار¬های cbsc ایده¬ی ترکیب منابع جریان ثابت و متغیر با ولتاژ مطرح شده است.سر...
15 صفحه اولطراحی میکسر توان باند k در تکنولوژی cmos
این رساله به طراحی دو میکسر توان با استفاده از تکنولوژی cmos180 نانومتر می پردازد. میکسر توان پیشنهادی اول با ساختار تاشده برای کاربردهای برد-کوتاه مانند بلوتوث کاربرد دارد. در حالی که میکسرتوان پیشنهادی دوم در باند k عمل می نماید و قابل پیاده سازی به صورت آرایه ای، برای تولید سیگنال خروجی با توان بزرگ (حدودا یک وات) است. میکسرتوان پیشنهادی اول با اعمال تکنیک تاشدگی در ساختار میکسر گیلبرت، طرا...
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده مهندسی برق
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023