بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و ارائه چندین ساختار نوین برای آنها می پردازد. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آنها در علوم مختلف از جمله در تجهیزات نظامی، در تمام ساختارهای ارائه شده سعی بر آن است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی ترانزیستور را بطور همزمان افزایش دهیم. ابتدا مسفتی از جنس گالیم آرسناید مورد مطالعه قرار گرفته است که در آن از تکنولوژی ناحیه دریفت چند گودی و ناحیه ای با ناخالصی pاستفاده شده است. این ساختار عمدتا برای بهبود مشخصات فرکانسی ترانزیستور می باشد. در ساختار بهینه سازی شده بعدی از ساختاری متناوب از لایه های بدون ناخالصی در کانال بهره گرفته شده است که این ساختار متناوب سبب بهبود توزیع میدان در کانال و افزایش مشخصات فرکانسی مسفت می گردد. سپس مسفتی با گیت پله ای ارائه می گردد که شکل جدید گیت موجب بهبود توان و پارامترهای فرکانسی مسفت می شود. پس از آن ساختاری نوین متشکل از روش های صفحه میدان و ناحیه دریفت چند گودی ارائه می گردد که در آن ولتاژ شکست، حداکثر فرکانس نوسان و حداکثر بهره موجود بهبود قابل توجهی دارند. در نهایت، مسفت با لایه ای بدون ناخالصی در ناحیه کانال مطرح گردیده و مشخصات dc و فرکانسی آن مورد تحلیل قرار می گیرد.