نقایص ساختاری نانولایههای اکسید روی رشد داده شده به روش تبخیر حرارتی شیمیایی (cvd)
پایان نامه
- دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
- نویسنده وحید واحدی
- استاد راهنما علی ریحانی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پژوهش لایههای نازک و نانوساختارهای اکسید روی از طریق دو روش اکسیداسیون حرارتی لایههای نازک zn و تبخیر حرارتی شیمیایی به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. در روش اول، ابتدا با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء، لایههای نازک zn با ضخامتهای مختلف (nm80 تا 1 میکرومتر) بر روی زیر لایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد لایههای نازک و نانوسیمهای اکسید روی، فیلمهای zn لایه نشانی شده در بازه دمایی c?450 تا c?650 در مدت زمانهای متفاوت در محیط هوا توسط یک کوره الکتریکی افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص گردید و نتایج نشان داد که با افزایش دمای اکسیداسیون، ابعاد نانوسیمهای اکسید روی افزایش مییابد و لایه نازک zn اکسید شده در دمای c?600، دارای بیشترین میزان شکلگیری نانوسیمهای اکسید روی میباشد. بررسی اثر ضخامت اولیه فیلم نازک zn بر روی رشد نانوسیمها نشان داد که با افزایش ضخامت، طول و قطر نانوسیمها افزایش مییابد و ضخامت nm500 دارای بیشترین تراکم نانوسیمهای اکسید روی است. همچنین با افزایش مدت زمان فرآیند اکسیداسیون، طول نانوسیمها به طرز چشمگیری افزایش یافت. نتایج حاصل از آنالیز xrd مشخص کرد که نانوساختارهای اکسید روی دارای ساختار ورتزایت با پیک ترجیحی قوی (002) میباشند. طیف فتولومینسانس نانوساختارها به منظور بررسی خواص اپتیکی نمونهها اندازه گیری شد و نتایج نشان داد که یک پیک قوی در nm377 متناظر با نشر فرابنفش و یک پیک پهن در nm522 متناظر با نشر سبز وجود دارد که نشان دهنده کیفیت کریستالی خوب و نقایص ساختاری کم نمونهها میباشد. بررسی خواص اپتیکی با استفاده از طیف عبور همچنین نشان داد که گاف انرژی نانوساختارهای اکسید روی با افزایش ضخامت اولیه، کاهش مییابد. در روش دوم، نانوساختارهای اکسید روی از طریق تکنیک تبخیر حرارتی شیمیایی (tcvd) با استفاده از پودر zn به عنوان ماده چشمه بر روی زیرلایه کوارتز در دمای c?950 رشد داده شدند. نتایج نشان داد که ساختارهای تشکیل شده در محیط هوا به صورت ذرات و در محیط اکسیژن به صورت نانومیلههای هرمی هگزاگونال میباشند. طیف پراش اشعه ایکس نشان داد که هر دو نمونه دارای ساختار کریستالی هگزاگونال ورتزایت میباشند. در طیف فتولومینسانس نانومیلههای هرمی یک پیک قوی مربوط به نشر فرابنفش مشاهده شد که نشان میدهد نانوساختارها دارای کیفیت کریستالی خوب و میزان نقایص ساختاری ناچیز میباشند. کیفیت و عناصر تشکیل دهنده نانومیلهها هرمی با استفاده از طیف ftir تعیین گردید. پیک جذبی در اطراف 1-cm 510 مربوط به باند جذبی zn-o میباشد و مشخصه فاز هگزاگونال ورتزایت اکسید روی خالص است.
منابع مشابه
خواص اپتیکی و ساختاری میلههای شش گوشی اکسید روی رشد داده شده بهروش نشست بخار شیمیایی
In this research, ZnO nanostructure hexagonal pyramid rods with high optical and structural quality were synthesized by the simple thermal chemical vapor deposition of Zn powder without a metal catalyst. Surface morphologies were characterized by scanning electron microscopy (SEM). XRD analyses demonstrated that ZnO hexagonal pyramid rods had a wurtzite structure with the orientation of (002). ...
متن کاملخواص اپتیکی و ساختاری میلههای شش گوشی اکسید روی رشد داده شده به روش نشست بخار شیمیایی
در این پژوهش، میلههای هرمی شش گوشی اکسید روی نانوساختار با کیفیت ساختاری و اپتیکی بالا از طریق یک روش ساده مبتنی بر نشست بخار شیمیایی پودر zn بدون استفاده از هیچ کاتالیست فلزی، رشد داده شدند. ریختشناسی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مشخص گردید. نتایج حاصل از آنالیز xrd نشان داد میله های هرمی اکسید روی دارای ساختار ورتزایت با قله ترجیحی قوی (002) میباشد. بررس...
متن کاملاندازهگیری ترکیبات آلی فرار توسط نانوکامپوزیت CeO2-TiO2 رشد داده شده روی گرافن اکسید کاهشیافته
در این مقاله به منظور افزایش حساسیت سنجش ترکیبات آلی فرار، نانوکامپوزیتهای CeO2-TiO2 روی گرافن اکسیدکاهیده شده رشد داده شدند. نانوکامپوزیتهای CeO2-TiO2 از طریق روشهای هیدروترمال و سل- ژل سنتز شدند. گرافن اکسید به دو روش احیا شد. در حالت اول فقط از روش سولوترمال استفاده (RGO) و در حالت دوم، ابتدا با کمک هیدرازین هیدرات احیا و سپس به روش سولوترمال مجددا احیا شد (RGO2). نتایج الگوی پراش اشعه ا...
متن کاملتهیه و مشخصه یابی فیلم های نازک اکسید روی تهیه شده به روش انباشت شیمیایی بخار (cvd)
در این تحقیق، خواص اپتیکی و ساختاری فیلم های نازک اکسید روی مورد مطالعه قرار گرفته است. برای پوشش این فیلمها، از روش انباشت بخار شیمیایی (cvd) و با کمک تکنیک فعال سازی حرارتی استفاده شده است. زینک استات بعنوان پیش ماده بکار رفته است. گاز اکسیژن جهت انجام واکنش و تشکیل اکسید روی و گاز نیتروژن نیز به عنوان گاز حامل استفاده شده اند. آنالیز های مختلفی از جمله طیف رامان (raman)، طیف ftir ، طیف سنجی ...
15 صفحه اولتاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع بر خواص ساختاری و اپتیکی لایههای نازک اکسید ایندیم تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی
در این کار تجربی لایههای نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ITO) با ترکیبهای مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایههای شیشهای نهشته شدند. لایهها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای Cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...
متن کاملرشد نانوسیم های sno2 به روش تبخیر حرارتی و بررسی خواص ساختاری و اپتیکی آن ها
با توجه به پتانسیل کاربردی نانوساختارهای sno2 در ساخت حسگرهای گازی، سلول¬های خورشیدی، الکترودهای رسانش شفاف و وسایل اپتوالکترونیک این موضوع انتخاب شد. در این تحقیق، نانوسیم¬های دی¬اکسید قلع به¬روش تبخیر حرارتی، بر روی زیرلایه¬ی سیلیکون تهیه شده¬اند و هم¬چنین اثر پارامترهای مختلف رشد در فرآیند تبخیر حرارتی از قبیل دمای زیرلایه، زمان پخت، دمای واکنش و میزان شار گاز نیتروژن بر اندازه، ساختار و ریخ...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023