رشد و مشخصهیابی لایه های نازک و نانو ساختارهای اکسید تنگستن (wo3)
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده علوم پایه
- نویسنده میمنت رحمانی
- استاد راهنما حسین عشقی محمد باقر رحمانی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
ما در این پایان نامه به مطالعه مورفولوژی، خواص ساختاری و اپتیکی نمونههای اکسید تنگستن خالص رشد داده شده به روشهای اسپری پایرولیزیز و تبخیر حرارتی پرداخته ایم. برای این مشخصهیابیها بترتیب از دستگاههای میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش پرتو x (xrd)، طیف سنجی uv-vis و فوتولومینسانس (pl) استفاده کرده ایم. در نمونههای رشد یافته به روش اسپری پایرولیزیز از محلول تنگستات آمونیم، تهیه شده از پودر اکسید تنگستن خالص (99/9 درصد) استفاده شده است. پارامترهای متغیر در این تحقیق عبارتند از: دمای زیرلایه (300 تا 450 درجه سانتیگراد)، آهنگ اسپری (1، 5 و 18 میلی لیتر بر دقیقه)، دمای بازپخت (450 و 500 درجه سانتیگراد)، نوع زیرلایه (شیشه، سیلسکون و fto)، مولاریته محلول (01/0، 03/0 و 05/0 مولار)، حجم محلول (10، 30 و 50 میلی لیتر) و اثر اضافه کردن متانول به عنوان حلال. در این نمونهها تصاویر fesem حاکی از شکل گیری نانوذرات? نانو و میکروسیم و رشتههای در هم تنیده نسبتا منظم بر روی سطح زیرلایههاست. همچنین طیفهای xrd نشانگر ساختارهای آمورف و بسبلوری است. طیف عبوری نمونهها نشانگر شفاف بودن لایهها در گستره نور مرئی با گاف نواری غیر مستقیم در حدود 5/3 الکترون ولت می باشد. در نمونههای رشد یافته به روش تبخیر حرارتی بر روی ویفر سیلیکون، نانو ساختارهای wo3 با گرمایش پودر خالص wo3 در حضور گاز اکسیژن بدون استفاده از کاتالیست و یا افزاینده سنتز شدهاند. در این کار تاثیر فاصله زیرلایه تا بوته مورد بررسی قرار گرفت. تصاویر fesemحاکی از شکل گیری نمونهها به صورت دانهای و میکرومیلهای با قطر نانومتری (nm400~) در فاز بسبلوری با ساختار مونوکلینیک است. طیف pl این نمونهها در دمای اتاق عمدتا در دو ناحیه فرابنفش (ناشی از گذار بین نواری) و آبی (وابسته به نقایص بلوری) متمرکز بوده است.
منابع مشابه
بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک
در این مطالعه لایههای نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفتهاند. همچنین این لایهها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس ...
متن کامللایه نشانی و مشخصه یابی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک نانوساختار اکسید تنگستن (wo3) با ناخالصی وانادیوم
در این تحقیق لایه های نازک سیستم دوتایی اکسید تنگستن – اکسید وانادیوم بر روی بسترهای شیشه ای به روش شیمیایی اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. اثر ناخالصی وانادیوم، دمای بستر و فرایند بازپخت بر روی خواص ساختاری، مورفولوژی سطحی و خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن بررسی شد. آنالیز xrdنشان داد که لایه ها قبل از بازپخت ساختاری آمورف دارند. فرایند بازپخت باعث بهبود نظم بلوری لایه ها می شود و لایه ها ب...
15 صفحه اولمطالعه ی نظری نانو ساختارهای اکسید تنگستن (wo3)n(n=1-6) به عنوان حسگر گازی
در این مطالعه، جذب آلاینده های nox (x=1,2) بر روی نانوخوشه های اکسید تنگستن(wo3)n(n=1-6) و نانوبلورهای w8o12h16 و w8o36h24 با روش نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. همه محاسبات با گوسین 9 و با دو تابع هیبریدیb3lyp وx3lyp و مجموعه پایه lanl2dz انجام شده است. همه ساختارها در سطح b3lyp/lanl2dz و x3lyp/lanl2dz به طور کامل بهینه شده و سپس مولکول های آلاینده با جهت گیری های مختلف نسبت به سطح بهینه شده ...
15 صفحه اولبررسی اثر مقدار نیتروژن بر خصوصیات ساختاری ، فازی و مورفولوژی سطح لایه های نازک نیترید تنگستن
لایه های نیترید تنگستن با ساختاری بلوری به روش تبخیر شیمیایی و در غلظتهای مختلفی از گاز نیتروژن در ترکیب گازی آرگون و نیتروژن تولید شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که غلظت نیتروژن در گاز ترکیبی تاثیر بسزایی روی ساختار، فازهای تشکیل شده، مورفولوژی سطح لایه ها و حتی اندازه دانه ها دارد. پراش اشعه ایکس، ساختار بلوری هگزاگونال WN را در نمونه های با غلظت کم نیتروژن )%10N2=، %30N2= و %50N2= (نشان می ...
متن کاملبررسی الکترواپتیکی لایههای نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک
In this study, tungsten oxide and vanadium oxide electrochromic thin films were placed in vacuum and in a thickness of 200 nm on a transparent conductive substrate of SnO2:F using the physical method of thermal evaporation. Then they were studied for the optical characteristics in the wavelength range from 400 to 700 nm and for their electrical potentials in the range form +1.5 to -1.5 volts. T...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023