خواص مدهای نقص بلور فوتونی نانولایه دی الکتریک-فلز سه تایی در یک بعد

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی دی الکتریک-فلز سه لایه و هم برای دو لایه در یک بعد بررسی شده و بازتاب بر حسب طول موج برای فلزات مختلف نیز بررسی شده است. یافته ها نشان می دهد که حداقل یک مد نقص در بلور فوتونی دی الکتریک-فلز سه لایه و همچنین دولایه در یک بعد هم در حالت متقارن و هم در حالت نامتقارن وجود دارد، و با افزایش ضخامت و ضریب شکست لایه نقص تعداد مدهای نقص نیز افزایش می یابد، ولی روند افزایش تعداد مدها در بلور فوتونی دی الکتریک-فلز سه لایه نسبت به دو لایه بیشتر است و همچنین نوار گاف در حالت سه لایه پهن تر می شود. همچنین وقتی تعداد سلول های چپ و راست در بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز هم در حالت سه لایه و هم در حالت دولایه با هم برابر باشد مد نقص ارتفاع بیشتری نسبت به حالاتی دارد که تعداد آنها با هم برابر نباشد، که نشان دهنده تشدید کاملتر آن نسبت به حالات دیگر است. همچنین با افزایش زاویه در بلور فوتونی دی الکتریک-فلز-دی الکتریک سه لایه در حالت متقارن و نامتقارن در قطبش te و tm مد نقص به سمت طول موجهای کمتر جابجا میشود، ولی روند کاهش طول موج در قطبش tm بیشتر از قطبش te است. تمامی محاسبات با استفاده از روش ماتریس انتقال و مدل درود در فلزات انجام گرفته است.