بررسی و شبیه سازی سلول های خورشیدی مبتنی بر gaas/ingap

در این پایان نامه به شبیه سازی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیم- آرسناید و تاثیر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس inxga1-xp پرداخته ایم، سپس اثر افزایش دما و تغییر ضخامت لایه های بیس و امیتر آن را بر روی عملکرد سلول خورشیدی بررسی نموده ایم. سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیم آرسناید دارای سرعت بازترکیب سطحی بالایی میباشند و این امر موجب افت عملکرد سلول های خورشیدی مبتنی بر gaas میگردد. با اضافه نمودن لایه ای از ماده ای که شکاف انرژی بالاتری نسبت به گالیم-آرسناید داراست و بطور مناسبی آلایش گردیده است در سطح بالایی و پشتی سلول خورشیدی باعث میگردد که نرخ بازترکیب سطحی در سلول خورشیدی بسیار افت نماید و متعاقبا عملکرد سلول بهبود یابد. با اضافه نمودن لایه ای از جنس inxga1-xp به عنوان لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی به سلول بازدهی سلول در حدود 7% رشد مینماید. از آنجا که سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیم-آرسناید بیشتر برای کاربردهای فضایی مورد استفاده قرار میگیرد همانند دیگر افزاره های الکترونیکی دما نقش مهمی را در عملکرد سلول ایفا مینماید. با استفاده از شبیه سازی نشان دادیم که با افزایش دما عملکرد سلول افت قابل توجه ای را مینماید و بازدهی تبدیل آن به ازای افزایش یک درجه کلوین 0456/0% افت مینماید. ضخامت و آلایش لایه های بیس و امیتر سلول خورشیدی مبتنی بر in0.49ga0.51p/gaas به منظور رسیدین به بهترین عملکرد سلول در نرم افزار شبیه سازی تغییر دادیم و مناسبترین آنها را با توجه به نتایج شبیه سازی انتخاب نمودیم