رشد ومشخصه یابی لایه های نازک cdin2o4

در این تحقیق تجربی لایه های نازک اکسید کادمیوم ایندیوم(cdin2o4) برروی زیرلایه های شیشه ای، به روش سل-ژل و با تکنیکهای غوطه وری و چرخشی و نیز با روش تجزیه گرمایی افشانه ای تهیه شده و همچنین نمونه های پودری به روش سل-ژل تهیه شدند. خواص اپتیکی و ساختاری لایه های نازک ونمونه های پودری اکسید کادمیوم ایندیوم مورد بررسی قرار گرفت. برای آنالیز لایه ها و پودرهای به دست آمده از اندازه گیری پراش پرتو ایکس، بیناب نمایی نوری فرابنفش – مرئی و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدان استفاده گردید. لایه های نازک تهیه شده با تکنیکهای غوطه وری و چرخشی با تعداد دفعات متفاوت لایه نشانی تهیه و در دماهای مختلف o c 300 تا o c450 به مدت یک ساعت تحت عملیات بازپخت قرار گرفتند. برای تهیه نمونه های پودری به روش سل-ژل نیز، عملیات بازپخت در دماهای o c 700 تا o c 900 برای مدت 2 ساعت انجام پذیرفت. همچنین برای نمونه های رشد داده شده به روش تجزیه گرمایی افشانه ای، اثر دمای بازپخت در دماهای متفاوت o c 350 الی o c 450 و اثر غلظت محلول مورد بررسی قرار گرفت. با استفاده از طیف پراش اشعه ایکس، برای همه نمونه ها تشکیل ساختار بلوری مکعبی با راستای ترجیحی (311) نشان داده شد. همچنین طیف تراگسیل اپتیکی نمونه ها، به طور کل با افزایش دمای بازپخت، افزایش میزان عبور را نشان داد و با افزایش غلظت میزان عبور کاهش یافته است. همچنین عبور متوسط نمونه های خشک سازی شده توسط لامپ ir اندکی بیشتر از نمونه های خشک سازی شده با کوره الکتریکی بوده است. تصاویر ثبت شده از fesem نشان داد که برای لایه های نازک رشد داده شده و نمونه های پودری ، در دمای بهینه بلورینگی بهتر و نمونه یکنواخت تر می باشد.