بررسی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی طبیعی بر روی سیال موجود بین دو استوانه با استفاده از روش شبکه ی بولتزمن
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی مکانیک
- نویسنده حمید رضا عاشوری نژاد
- استاد راهنما موسی فرهادی احسان فتاحی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این مطالعه حل عددی تاثیر میدان مغناطیسی ثابت بر روی حرکت جابه جایی آزاد و ترکیبی در بین سیلندر های افقی هم مرکز به روش شبکه بولتزمن بررسی شده است. برای مدل سازی سرعت و دما و میدان مغناطیسی در شبکه بولتزمن از روش چند تابعی(mdf ) استفاده شده است. در مرزهای منحنی شکل, از روش برونیابی با دقت مرتبه دوم برای میدان سرعت و دما ومغناطیس استفاده شده است.دیواره ی سیلندر داخلی و خارجی به صورت دما ثابت قرار داده شده اند. نتایج عددی نرخ انتقال حرارت و توزیع دما و میدان سرعت برای سیالی با عدد پرانتل 0.71 و اعداد رایلی 1000 تا 100000را در اعداد هارتمن0 تا 100 و رینولدز 0 تا 100 نشان می دهد. مقایسه نتایج بدست آمده و مطالعات تجربی و عددی گذشته نشان می دهد که حل به کمک روش شبکه بولتزمن از دقت خوبی برای مدل سازی این سیستم برخوردار است. بررسی ها نشان می دهد که انتقال حرارت با اعمال میدان مغناطیسی شعاعی به صورت موثر کاهش می یابد .بیشترین تاثیر میدان مغناطیسی در نواحی عمود بر دیواره ها می باشد. همینطور میدان سرعت با اعمال میدان مغناطیسی شعاعی کاملاٌ تضعیف می گردد. مقدار عدد ناسلت میانگین نیز با افزایش نسبت شعاع ها افزایش می یابد این در حالی است که با افزایش عدد هارتمن از مقدار آن به شدت کاسته می شود. در حرکت جابه جایی ترکیبی ,با افزایش مقدار رینولدز انتقال حرارت جابه جایی تضعیف می گردد و با اعمال میدان مغناطیسی ضعیف تر انتقال حرارت هدایتی غالب می گردد.
منابع مشابه
بررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل با استفاده از روش شبکه بولتزمن
در کار حاضر، برای اولین بار، انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیهسازی شده است. دیوارههای سمت راست و چپ محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. دیواره افقی پایینی محفظه در دمای ثابت گرم است. دما روی دیواره افقی بالایی محفظه بصورت خطی تغییر می کند. در شبیهسازی صورت گرفته میدان جریان و دما با حل همزمان توابع توزیع جریان و دم...
متن کاملکاربرد روش شبکه بولتزمن در شبیهسازی انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال درون یک محفظه متوازیالاضلاع شکل در حضور میدان مغناطیسی
چکیده در کار حاضر، برای اولین بار، جابجایی طبیعی نانوسیال درون محفظه متوازیالاضلاع شکل با دو مانع مثلثی با شرایط مرزی دمایی متفاوت در حضور میدان مغناطیسی با روش شبکه بولتزمن شبیهسازی شده است. در شبیهسازی صورت گرفته میدان سرعت و دما با حل همزمان معادلات روش شبکه بولتزمن برای توابع توزیع سرعت و دما محاسبه شده است. تأثیر عوامل مختلفی چون عدد رایلی (۱۰۳-۱۰۵)، عدد هارتمن (۰-۹۰)، کسر حجمی ن...
متن کاملاثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی ترکیبی آب درون محفظه مستطیلی شکل با دو دیواره غیر صاف به روش شبکه بولتزمن
This article has no abstract.
متن کاملحل عددی اثر میدان مغناطیسی یکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی آزاد از روی صفحه ای عمودی
در این مقاله به بررسی اثر میدان مغناطیسی یکنواخت بر توزیع سرعت و دما درون لایه ی مرزی پرداخته و در نهایت نرخ انتقال حرارت از صفحات عمودی را در اثر جریان جابجایی آزاد مورد بررسی قرار داده شده است. معادلات مومنتوم و انرژی با در نظر گرفتن میدان مغناطیسی استخراج شده اند. به کمک پارامتر تشابهی مناسب و استفاده از تابع جریان و بازنویسی معادلات مومنتوم و انرژی بر حسب تابع جریان، معادلات دیفرانسیل مشتق ...
متن کاملشبیهسازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی به روش شبکه بولتزمن
در این تحقیق، از مدل توابع توزیع دوتایی با ضریب تخفیف چندتایی روش شبکه بولتزمن برای شبیهسازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه شیبدار تحت میدان مغناطیسی استفاده شده است. محفظه موردنظر دوبعدی بوده و حاوی نانوسیال آب-اکسید تیتانیوم میباشد. محفظه دارای زاویه ø نسبت به سطح افقی بوده و تحت یک میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفته است. روش عددی ارائه شده به ترتیب میدان جریان و میدان دما را با ا...
متن کاملبررسی عددی اثرمیدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابه جایی طبیعی نانو سیال موجود بین استوانه دایروی و حفره مربعی با استفاده از روش شبکه بولتزمن
در این مطالعه از روش شبکه بولتزمن برای شبیه سازی جریان نانوسیال و انتقال حرارت جابه جایی آزاد موجود بین دو استوانه افقی در حضور میدان مغناطیسی استفاده شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده و نانو ذرات مختلف ، ، و به آن افزوده می شود. برای شبیه سازی نانو سیال از مدل های ماکسول-گرانت و بریکمن به ترتیب برای ضریب رسانش حرارتی و ویسکوزیته دینامیکی استفاده می گردد. علاوه براین از روش توابع ...
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی مکانیک
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023